基本信息:
- 专利标题： 半導体装置
- 专利标题（英）：Semiconductor device
- 专利标题（中）：半导体器件
- 申请号：PCT/JP2015/053072 申请日：2015-02-04
- 公开(公告)号：WO2016125264A1 公开(公告)日：2016-08-11
- 发明人： 高澤 直裕 , 只木 芳隆
- 申请人： オリンパス株式会社
- 申请人地址： 〒1510072 東京都渋谷区幡ヶ谷2丁目43番2号 Tokyo JP
- 专利权人： オリンパス株式会社
- 当前专利权人： オリンパス株式会社
- 当前专利权人地址： 〒1510072 東京都渋谷区幡ヶ谷２丁目４３番２号 Tokyo JP
- 代理机构： 棚井 澄雄
- 主分类号： H01L25/065
- IPC分类号： H01L25/065 ; H01L21/60 ; H01L25/07 ; H01L25/18
摘要：
半導体装置は、第１の基板と、第２の基板と、接合電極と、ダミー電極とを有する。前記第１の基板は、第１の面と第１の配線とを有し、第１の半導体材料を含む。前記第２の基板は、第２の面と第２の配線とを有し、第２の半導体材料を含み、前記第１の面と前記第２の面とは対向する。前記接合電極は、前記第１の面と前記第２の面との間に配置され、前記第１の配線と前記第２の配線とに電気的に接続されている。前記ダミー電極は、前記第１の面と前記第２の面との間に配置され、前記第１の配線と前記第２の配線との少なくとも一方から電気的に絶縁されている。前記接合電極は、接合バンプと第１の接合パッドとを有する。前記ダミー電極は、ダミーバンプと第１のダミーパッドとを有する。
摘要（中）：
半导体器件具有第一基板，第二基板，接合电极和虚设电极。 第一基板具有第一表面和第一布线，并且包含第一半导体材料。 第二基板具有第二表面和第二布线，并且包含第二半导体材料，并且第一表面和第二表面彼此面对。 接合电极设置在第一表面和第二表面之间，并且电连接到第一布线和第二布线。 虚拟电极设置在第一表面和第二表面之间，并且与第一布线和/或第二布线电绝缘。 接合电极具有接合凸块和第一接合焊盘。 虚拟电极具有虚拟凸块和第一虚拟焊盘。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L25/00 | 由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件 |
| --------H01L25/03 | .所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件 |
| ----------H01L25/04 | ..不具有单独容器的器件 |
| ------------H01L25/065 | ...包含在H01L27/00组类型的器件 |