发明申请
WO2016099437A1 METHOD AND APPARATUS FOR LAYER DEPOSITION ON A SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING A THIN FILM TRANSISTOR ON A SUBSTRATE
审中-公开
基本信息:
- 专利标题： METHOD AND APPARATUS FOR LAYER DEPOSITION ON A SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING A THIN FILM TRANSISTOR ON A SUBSTRATE
- 专利标题（中）：在基板上层叠沉积的方法和装置以及在基板上制造薄膜晶体管的方法
- 申请号：PCT/US2014/070264 申请日：2014-12-15
- 公开(公告)号：WO2016099437A1 公开(公告)日：2016-06-23
- 发明人： LIM, Rodney Shunleong , YIM, Dong-Kil , YOU, Harvey
- 申请人： APPLIED MATERIALS, INC.
- 申请人地址： 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 US
- 专利权人： APPLIED MATERIALS, INC.
- 当前专利权人： APPLIED MATERIALS, INC.
- 当前专利权人地址： 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 US
- 代理机构： PATTERSON, B. Todd et al.
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; C23C14/06 ; C23C14/08 ; C23C14/34 ; H01L21/314
摘要：
A method for layer deposition over a substrate is provided. The method includes conditioning a sputter target in metallic mode under a first process atmosphere, wherein a target material of the sputter target includes a metal; and depositing a metal oxynitride layer over the substrate in a reactive deposition process under a second process atmosphere.
摘要（中）：
提供了一种用于衬底上的层沉积的方法。 该方法包括在第一工艺气氛下以金属模式调节溅射靶，其中溅射靶的目标材料包括金属; 以及在第二工艺气氛下的反应沉积工艺中在所述衬底上沉积金属氧氮化物层。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |