基本信息:
- 专利标题： 低温多晶硅薄膜晶体管及制作方法、阵列基板、显示装置
- 专利标题（英）：Low temperature poly-silicon thin film transistor and manufacturing method, array substrate and display device
- 申请号：PCT/CN2015/074489 申请日：2015-03-18
- 公开(公告)号：WO2016058324A1 公开(公告)日：2016-04-21
- 发明人： 陆小勇 , 刘政 , 孙亮 , 李小龙 , 龙春平
- 申请人： 京东方科技集团股份有限公司
- 申请人地址： 中国北京市朝阳区酒仙桥路10号, Beijing 100015 CN
- 专利权人： 京东方科技集团股份有限公司
- 当前专利权人： 京东方科技集团股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国北京市朝阳区酒仙桥路10号, Beijing 100015 CN
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 优先权： CN201410553299.3 20141017
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336 ; H01L29/786
摘要：
一种低温多晶硅薄膜晶体管及制作方法、阵列基板和显示装置，该低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法包括：S1：在衬底基板（1）上依次形成有源层（3）、栅极绝缘层（4）、栅极（5）以及层间绝缘层（6）；S2：形成第一金属薄膜层（8）；S3：对所述有源层（3）和栅极绝缘层（6）进行氢化处理；S4：形成第二金属薄膜层（7），所述第二金属薄膜层（7）用于形成源极和漏极。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/335 | .....场效应晶体管 |
| ------------------H01L21/336 | ......带有绝缘栅的 |