基本信息:
- 专利标题： 화합물 반도체 및 그 제조방법
- 专利标题（英）：Compound semiconductor and manufacturing method thereof
- 专利标题（中）：化合物半导体及其制造方法
- 申请号：PCT/KR2015/010192 申请日：2015-09-25
- 公开(公告)号：WO2016052948A1 公开(公告)日：2016-04-07
- 发明人： 이재기 , 김태훈 , 박철희
- 申请人： 주식회사 엘지화학
- 申请人地址： 07336 서울시 영등포구 여의대로 128, Seoul KR
- 专利权人： 주식회사 엘지화학
- 当前专利权人： 주식회사 엘지화학
- 当前专利权人地址： 07336 서울시 영등포구 여의대로 128, Seoul KR
- 代理机构： 특허법인 필앤온지
- 优先权： KR10-2014-0130569 20140929
- 主分类号： H01L35/14
- IPC分类号： H01L35/14 ; H01L35/34
摘要：
본 발명은 열전 변환 성능이 우수한 화합물 반도체 및 그 활용을 개시한다. 본 발명에 따른 화합물 반도체는, 다음의 화학식 1과 같이 표시될 수 있다. M1 a Co 4 Sb 12-x M2 x 상기 화학식 1에서, M1 및 M2는 In과 희토류 금속 원소 중 적어도 하나이고, 0≤a≤1.8, 0
摘要（中）：
公开了具有良好热电转换性能的化合物半导体及其用途。 根据本发明的化合物半导体可以由式1表示如下：＆lt;式1＆gt; M1aCo4Sb12-xM2x，其中M1和M2为In和至少一种稀土金属元素，0≤a≤1.8且0