基本信息:
- 专利标题： 半導体装置および半導体装置の製造方法
- 专利标题（英）：Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method
- 专利标题（中）：半导体器件和半导体器件制造方法
- 申请号：PCT/JP2015/072880 申请日：2015-08-12
- 公开(公告)号：WO2016051970A1 公开(公告)日：2016-04-07
- 发明人： 小野澤 勇一
- 申请人： 富士電機株式会社
- 申请人地址： 〒2109530 神奈川県川崎市川崎区田辺新田1番1号 Kanagawa JP
- 专利权人： 富士電機株式会社
- 当前专利权人： 富士電機株式会社
- 当前专利权人地址： 〒2109530 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 Kanagawa JP
- 代理机构： 龍華国際特許業務法人
- 优先权： JP2014-201065 20140930
- 主分类号： H01L29/739
- IPC分类号： H01L29/739 ; H01L21/265 ; H01L21/28 ; H01L21/324 ; H01L21/336 ; H01L29/78
摘要：
半導体基板の裏面側からプロトンを注入して、半導体基板内部の欠陥に加えて、半導体基板の表面側におけるチャネル形成領域の欠陥も回復させる。これにより、ゲート閾値電圧のバラつきを低減し、逆電圧印加時の漏れ電流を低減する。 裏面側において、プロトンを含むｎ型不純物領域を有する半導体基板と、半導体基板の表面側においてプロトンに対する遮蔽効果を有するバリアメタルとを備える、半導体装置を提供する。
摘要（中）：
为了通过从半导体衬底的后表面侧注入质子，除了半导体衬底内部的缺陷之外，还可以使半导体衬底的表面侧的沟道形成区域中的缺陷减少，从而减小栅极阈值电压的变化 并且当施加反向电压时减小泄漏电流。 本发明提供一种半导体器件，其具有：在背面侧具有包含质子的n型杂质区的半导体衬底; 以及在半导体衬底的正面侧具有相对于质子的阻挡效果的阻挡金属。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/72 | ....晶体管型器件，如连续响应于所施加的控制信号的 |
| ----------------H01L29/739 | .....受场效应控制的 |