基本信息:
- 专利标题： LOW POWER MULTI-STACKED POWER AMPLIFIER
- 专利标题（中）：低功率多层功率放大器
- 申请号：PCT/US2015/028879 申请日：2015-05-01
- 公开(公告)号：WO2015179107A1 公开(公告)日：2015-11-26
- 发明人： KOROL, Victor , LIAO, Shu-Hsien
- 申请人： QUALCOMM INCORPORATED
- 申请人地址： ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714 US
- 专利权人： QUALCOMM INCORPORATED
- 当前专利权人： QUALCOMM INCORPORATED
- 当前专利权人地址： ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714 US
- 代理机构： TOLER, Jeffrey G.
- 优先权： US14/286,877 20140523
- 主分类号： H03F1/02
- IPC分类号： H03F1/02 ; H03F1/22 ; H03F1/52 ; H03F3/24
摘要：
An apparatus includes a plurality of stacked transistors (308, 310, 312) in a multi-stacked power amplifier (254pa). At least one transistor (310, 312) of the plurality of stacked transistors (308, 310, 312) is configured to operate in a first mode and in a second mode. The at least one transistor (310, 312) of the plurality of stacked transistors (308, 310, 312) is configured to be biased by a low power biasing network (316) to operate in the first mode.
摘要（中）：
一种装置包括多层堆叠功率放大器（254pa）中的多个堆叠晶体管（308,310,312）。 多个堆叠晶体管（308,310,312）中的至少一个晶体管（310,312）被配置为以第一模式和第二模式工作。 多个堆叠晶体管（308,310,312）中的至少一个晶体管（310,312）被配置为被低功率偏置网络（316）偏置以在第一模式下操作。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H03 | 基本电子电路 |
| ----H03F | 放大器 |
| ------H03F1/00 | 只用电子管，只用半导体器件或只用未特别指明的器件作为放大元件的放大器的零部件 |
| --------H03F1/02 | .为提高效率对放大器的改进，例如滑动甲类放大级，采用辅助振荡 |