基本信息:
- 专利标题： 一种用于半导体铜互连工艺的电镀铜膜的处理方法
- 专利标题（英）：Electroplated copper film treatment method for use in semiconductor-copper interconnect process
- 申请号：PCT/CN2014/085102 申请日：2014-08-25
- 公开(公告)号：WO2015165179A1 公开(公告)日：2015-11-05
- 发明人： 林宏
- 申请人： 上海集成电路研发中心有限公司
- 申请人地址： 中国上海市上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号, Shanghai 201210 CN
- 专利权人： 上海集成电路研发中心有限公司
- 当前专利权人： 上海集成电路研发中心有限公司
- 当前专利权人地址： 中国上海市上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号, Shanghai 201210 CN
- 代理机构： 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
- 优先权： CN201410174828.9 20140428
- 主分类号： H01L21/768
- IPC分类号： H01L21/768 ; H01L21/288
摘要：
一种用于半导体铜互连工艺的电镀铜膜的处理方法，通过先在铜后道互连工艺中，对电镀铜膜进行不高于180℃的第一次退火处理，再在铜后道互连工艺完成后，对电镀铜膜增加一次不低于240℃的较高温度的芯片整体退火，使铜发生再结晶以降低电镀铜膜的电阻率，并可在通孔底部界面形成电阻率更低的界面态，从而改善了通孔与下层互连线铜之间的接触电阻，进一步降低了通孔的RC延迟。该方法可应用于Cu／Low-k后道互连技术，且可与标准Cu／Low-k后道工艺集成兼容。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/768 | ...利用互连在器件中的分离元件间传输电流 |