基本信息:
- 专利标题： 酸化物焼結体、スパッタリング用ターゲット、及びそれを用いて得られる酸化物半導体薄膜
- 专利标题（英）：Sintered oxide, sputtering target, and oxide semiconductor thin film obtained using same
- 专利标题（中）：烧结氧化物，溅射靶和使用其的氧化物半导体薄膜
- 申请号：PCT/JP2015/056809 申请日：2015-03-09
- 公开(公告)号：WO2015137275A1 公开(公告)日：2015-09-17
- 发明人： 中山 徳行 , 西村 英一郎 , 井藁 正史
- 申请人： 住友金属鉱山株式会社
- 申请人地址： 〒1058716 東京都港区新橋5-11-3 Tokyo JP
- 专利权人： 住友金属鉱山株式会社
- 当前专利权人： 住友金属鉱山株式会社
- 当前专利权人地址： 〒1058716 東京都港区新橋５－１１－３ Tokyo JP
- 代理机构： 正林 真之
- 优先权： JP2014-052461 20140314
- 主分类号： C04B35/00
- IPC分类号： C04B35/00 ; C23C14/08 ; C23C14/34 ; C23C14/58 ; H01L21/20 ; H01L21/363
摘要：
スパッタリング法によって酸化物半導体薄膜とした場合に、低キャリア濃度、高キャリア移動度が得られる酸化物焼結体、及びそれを用いたスパッタリング用ターゲットを提供する。 この酸化物焼結体は、インジウムおよびガリウムを酸化物として含有し、窒素を含有し、亜鉛を含有しない。ガリウムの含有量がＧａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）原子数比で０．２０以上０．６０以下であり、ＧａＮ相を実質的に含まない。また、Ｇａ ２ Ｏ ３ 相を有さないことが好ましい。この酸化物焼結体をスパッタリング用ターゲットとして形成した非晶質の酸化物半導体薄膜は、キャリア濃度３×１０ １８ ｃｍ －３ 以下で、キャリア移動度１０ｃｍ ２ Ｖ －１ ｓｅｃ －１ 以上が得られる。
摘要（中）：
提供了一种烧结氧化物，其中当使用烧结氧化物通过溅射法获得氧化物半导体薄膜时，可以获得低载流子浓度和高载流子迁移率，以及使用所述烧结氧化物的溅射靶。 该烧结氧化物含有铟和镓作为氧化物，含有氮，不含锌。 以Ga /（In + GA）原子比计的镓含量在0.20-0.60之间，并且基本上不包括GaN相。 此外，烧结氧化物优选不具有Ga 2 O 3相。 使用该烧结氧化物作为溅射靶形成的无定形氧化物半导体薄膜的载流子浓度为3.0×10 18 cm -3以下，载流子迁移率为10cm 2·V -1·sec -1以上。