发明申请
WO2015097232A1 N-DOPED SEMICONDUCTING MATERIAL COMPRISING PHOSPHINE OXIDE MATRIX AND METAL DOPANT
审中-公开
基本信息:
- 专利标题： N-DOPED SEMICONDUCTING MATERIAL COMPRISING PHOSPHINE OXIDE MATRIX AND METAL DOPANT
- 专利标题（中）：包含磷氧化物基质和金属掺杂物的N-DOPED SEMICONDUCTING MATERIAL
- 申请号：PCT/EP2014/079191 申请日：2014-12-23
- 公开(公告)号：WO2015097232A1 公开(公告)日：2015-07-02
- 发明人： ZÖLLNER, Mike , WERNER, Ansgar , ROSENOW, Thomas , ROTHE, Carsten , BIRNSTOCK, Jan , CANZLER, Tobias , DENKER, Ulrich , FADHEL, Omrane , BLOOM, Francisco , KALISZ, Tomas , GILGE, Kai , ANGERMANN, Jens
- 申请人： NOVALED GMBH
- 申请人地址： Tatzberg 49 01307 Dresden DE
- 专利权人： NOVALED GMBH
- 当前专利权人： NOVALED GMBH
- 当前专利权人地址： Tatzberg 49 01307 Dresden DE
- 代理机构： BITTNER, Thomas L.
- 优先权： EP13199413.9 20131223; EP14171326.3 20140605
- 主分类号： H01L51/50
- IPC分类号： H01L51/50 ; H01L51/00
摘要：
The present invention relates to an electrically doped semiconducting material comprising at least one metallic elementas n-dopant and at least one electron transport matrix compound comprising at least one phosphine oxide group,a process for its preparation, and an electronic device comprising the electrically doped semiconducting material.
摘要（中）：
本发明涉及一种电掺杂半导体材料，其包含至少一种金属元素的n掺杂剂和至少一种包含至少一种氧化膦基团的电子传输基质化合物，其制备方法和包含电掺杂半导体 材料。