基本信息:
- 专利标题： SEMICONDUCTOR DIE AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF
- 专利标题（中）：半导体器件及其制造方法
- 申请号：PCT/JP2014/079899 申请日：2014-11-05
- 公开(公告)号：WO2015068855A2 公开(公告)日：2015-05-14
- 发明人： EWANCHUK, Jeffrey , MOLLOV, Stefan
- 申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION , MITSUBISHI ELECTRIC R&D CENTRE EUROPE B.V.
- 申请人地址： 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 JP
- 专利权人： MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION,MITSUBISHI ELECTRIC R&D CENTRE EUROPE B.V.
- 当前专利权人： MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION,MITSUBISHI ELECTRIC R&D CENTRE EUROPE B.V.
- 当前专利权人地址： 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 JP
- 代理机构： SOGA, Michiharu et al.
- 优先权： EP13191723.9 20131106
- 主分类号： H01L23/485
- IPC分类号： H01L23/485
摘要：
The present invention concerns a semiconductor die, comprising at least two metallic pads that are electrically connected to said die, characterized in that each pad has on its surface a plurality of nanowires disposed orthogonally on the surface of the pad, each nanowire having a ratio height to width which makes the nanowire flexible when subject to a pressure in the axial direction of the nanowire.
摘要（中）：
本发明涉及一种半导体管芯，其包括至少两个电连接到所述管芯的金属焊盘，其特征在于，每个焊盘的表面上具有多个在焊盘表面上正交设置的纳米线，每个纳米线的比例高度 使纳米线在纳米线的轴向方向受到压力时变宽。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/34 | .冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置 |
| ----------H01L23/482 | ..由不可拆卸地施加到半导体本体上的内引线组成的 |
| ------------H01L23/485 | ...包括导电层和绝缘层组成的层状结构，例如平面型触头 |