基本信息:
- 专利标题： 半導体装置の製造方法、基板処理装置および記録媒体
- 专利标题（英）：Manufacturing method for semiconductor device, substrate processing device, and recording medium
- 专利标题（中）：半导体器件的制造方法，衬底处理器件和记录介质
- 申请号：PCT/JP2013/076273 申请日：2013-09-27
- 公开(公告)号：WO2015045099A1 公开(公告)日：2015-04-02
- 发明人： 山口 大吾 , 鎌倉 司 , 芦原 洋司 , 竹田 剛 , 佐藤 武敏
- 申请人： 株式会社日立国際電気
- 申请人地址： 〒1018980 東京都千代田区外神田四丁目14番1号 Tokyo JP
- 专利权人： 株式会社日立国際電気
- 当前专利权人： 株式会社日立国際電気
- 当前专利权人地址： 〒1018980 東京都千代田区外神田四丁目１４番１号 Tokyo JP
- 代理机构： 油井 透
- 主分类号： H01L21/316
- IPC分类号： H01L21/316
摘要：
基板を収容した処理室内へ所定元素を含む有機系原料とハロゲン化合物およびボロン化合物からなる群より選択される少なくとも１つを含む擬似触媒とを供給して、有機系原料と擬似触媒とを処理室内に封じ込める工程と、有機系原料と擬似触媒とを処理室内に封じ込めた状態を維持する工程と、処理室内を排気する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことで、基板上に、所定元素と炭素とを含む膜を形成する。
摘要（中）：
本发明进行预定次数的循环，所述循环包括以下步骤：提供包含预定元素的有机原料和包含至少一种选自卤素化合物和硼化合物的化合物的假催化剂， 进入容纳基板的处理室，并且将处理室中的有机原料和假催化剂密封; 保持有机原料和假催化剂密封在处理室中的状态; 并排空处理室。 结果，在基板上形成包含预定元素和碳的膜。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/314 | ......无机层 |
| --------------------H01L21/316 | .......由氧化物或玻璃状氧化物或以氧化物为基础的玻璃组成的无机层 |