基本信息:
- 专利标题： 绝缘栅双极型晶体管的制备方法
- 专利标题（英）：Method for manufacturing insulated gate bipolar transistor
- 申请号：PCT/CN2014/085094 申请日：2014-08-25
- 公开(公告)号：WO2015027881A1 公开(公告)日：2015-03-05
- 发明人： 钟圣荣 , 周东飞 , 邓小社 , 王根毅
- 申请人： 无锡华润上华半导体有限公司
- 申请人地址： 中国江苏省无锡市新区新洲路8号, Jiangsu 214028 CN
- 专利权人： 无锡华润上华半导体有限公司
- 当前专利权人： 无锡华润上华半导体有限公司
- 当前专利权人地址： 中国江苏省无锡市新区新洲路8号, Jiangsu 214028 CN
- 代理机构： 广州华进联合专利商标代理有限公司
- 优先权： CN201310380034.3 20130827
- 主分类号： H01L21/331
- IPC分类号： H01L21/331
摘要：
一种绝缘栅双极型晶体管（100）的制备方法，包括：提供衬底（10），在衬底（10）的正面形成场氧层（20），并形成终端保护环（23）；用有源区光刻版光刻并刻蚀掉有源区区域的场氧层（20），以光刻胶为掩蔽膜向衬底（10）内注入N型离子；在场氧层（20）被刻蚀掉的衬底（10）上淀积并形成多晶硅栅（31），在多晶硅栅（31）上形成保护层；对N型离子的注入区域进行推结后形成载流子增强区（41）；用P阱光刻版光刻并向载流子增强区（41）内注入P型离子，推结后形成P型体区；借助多晶硅栅向P型体区内进行自对准注入N型离子，推结后形成N型重掺杂区；在多晶硅栅两侧形成侧墙，再向N型重掺杂区内注入P型离子，推结后形成P型重掺杂区；去除保护层后进行多晶硅栅注入掺杂。所述制备方法通过形成载流子增强区降低了器件的导通压降。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/33 | .....包括3个或更多电极的器件 |
| ------------------H01L21/331 | ......晶体管 |