基本信息:
- 专利标题： エッチング方法、これに用いるエッチング液、ならびに半導体基板製品の製造方法
- 专利标题（英）：Etching method, etching solution used in same, and production method for semiconductor substrate product
- 专利标题（中）：蚀刻方法，使用其中的蚀刻方法和半导体基板产品的生产方法
- 申请号：PCT/JP2014/062068 申请日：2014-05-01
- 公开(公告)号：WO2014178423A1 公开(公告)日：2014-11-06
- 发明人： 室 祐継 , 上村 哲也 , 高橋 智美 , 小山 朗子 , 水谷 篤史
- 申请人： 富士フイルム株式会社
- 申请人地址： 〒1068620 東京都港区西麻布2丁目26番30号 Tokyo JP
- 专利权人： 富士フイルム株式会社
- 当前专利权人： 富士フイルム株式会社
- 当前专利权人地址： 〒1068620 東京都港区西麻布２丁目２６番３０号 Tokyo JP
- 代理机构： 飯田 敏三
- 优先权： JP2013-097157 20130502
- 主分类号： H01L21/308
- IPC分类号： H01L21/308 ; C23F1/28 ; C23F1/30 ; H01L21/28 ; H01L21/306
摘要：
ゲルマニウム（Ｇｅ）を含む第一層と、ニッケルプラチナ（ＮｉＰｔ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、およびコバルト（Ｃｏ）から選ばれる少なくとも１種の特定金属元素を含む第二層とを有する半導体基板について、第二層を選択的に除去するエッチング方法であって、ノンハロゲン酸性化合物を含むエッチング液を第二層に接触させて第二層を除去する半導体基板のエッチング方法。
摘要（中）：
一种半导体衬底蚀刻方法，用于从具有包括锗（Ge）的第一层的半导体衬底以及包括选自镍铂（NiPt），钛（Ti），镍（至少一种）的至少一种特定金属元素的第二层的半导体衬底选择性地除去第二层） Ni）和钴（Co），并且通过使含有非卤素的酸性化合物的蚀刻溶液与第二层接触来除去第二层。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/306 | ......化学或电处理，例如电解腐蚀 |
| --------------------H01L21/308 | .......应用掩膜的 |