基本信息:
- 专利标题： FIELD-LINE REPEATER (FLR) STRUCTURE OF A SENSE ARRAY
- 专利标题（中）：感知阵列的现场线路重复（FLR）结构
- 申请号：PCT/US2013/058972 申请日：2013-09-10
- 公开(公告)号：WO2014175913A1 公开(公告)日：2014-10-30
- 发明人： HOSHTANAR, Oleksandr
- 申请人： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION , HOSHTANAR, Oleksandr
- 申请人地址： 198 Champion Court San Jose, California 95134 US
- 专利权人： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION,HOSHTANAR, Oleksandr
- 当前专利权人： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION,HOSHTANAR, Oleksandr
- 当前专利权人地址： 198 Champion Court San Jose, California 95134 US
- 优先权： US61/816,442 20130426; US14/015,720 20130830
- 主分类号： G06F3/041
- IPC分类号： G06F3/041
摘要：
Apparatuses and methods of field-line repeater structures for sense arrays are described. One apparatus includes a substrate, a capacitive-sense array with electrodes disposed on one or more sides of the substrate in one or more layers and a protective cover layer disposed to cover the capacitive-sense array. A coating film is disposed over the protective cover layer and a field-line repeater (FLR) structure of floating electrodes is disposed between the coating film and the protective cover layer.
摘要（中）：
描述了用于感测阵列的场线中继器结构的装置和方法。 一种装置包括基板，电容性感测阵列，其电极设置在一个或多个层中的基板的一个或多个侧面上，以及设置成覆盖电容感测阵列的保护盖层。 在保护覆盖层上设置涂膜，并且在涂膜和保护覆盖层之间设置浮动电极的场线中继器（FLR）结构。