基本信息:
- 专利标题： GRAPHENE GROWTH ON SIDEWALLS OF PATTERNED SUBSTRATE
- 专利标题（中）：石墨基底上的石墨生长
- 申请号：PCT/US2014/014342 申请日：2014-02-01
- 公开(公告)号：WO2014121156A1 公开(公告)日：2014-08-07
- 发明人： DAVIS, Mark, Alan
- 申请人： SOLAN, LLC , DAVIS, Mark, Alan
- 申请人地址： 1245 Brickyard Road #70 Salt Lake City, UT 84105-2599 US
- 专利权人： SOLAN, LLC,DAVIS, Mark, Alan
- 当前专利权人： SOLAN, LLC,DAVIS, Mark, Alan
- 当前专利权人地址： 1245 Brickyard Road #70 Salt Lake City, UT 84105-2599 US
- 代理机构： LOVEJOY, Brett, A.
- 优先权： US61/759,860 20130201
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; H01L21/20 ; H01L29/66
摘要：
A method for forming a graphite-based structure comprises patterning a substrate thereby forming a plurality of elements, each respective element in the plurality of elements separated from an adjacent element by a corresponding trench in a plurality of trenches on the substrate. A first element in the plurality of elements has a first surface. A first trench in the plurality of trenches separates the first element from an adjacent element in the plurality of elements, and the first trench has a second surface. The first surface and the second surface are separated by a first side wall of the first element. The method further comprises creating a graphene initiating layer on the first side wall of the first element. The method also comprises generating graphene using the graphene initiating layer thereby forming the graphite-based structure.
摘要（中）：
一种用于形成石墨基结构的方法，包括使衬底形成图案，从而形成多个元件，多个元件中的每个元件通过衬底上的多个沟槽中的相应沟槽与相邻元件分离。 多个元件中的第一元件具有第一表面。 多个沟槽中的第一沟槽将第一元件与多个元件中的相邻元件分开，并且第一沟槽具有第二表面。 第一表面和第二表面由第一元件的第一侧壁分开。 该方法还包括在第一元件的第一侧壁上创建石墨烯起始层。 该方法还包括使用石墨烯起始层产生石墨烯，从而形成基于石墨的结构。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |