基本信息:
- 专利标题： EXPITAXIAL FILM ON NANOSCALE STRUCTURE
- 专利标题（中）：纳米结构的外延膜
- 申请号：PCT/US2013/048797 申请日：2013-06-29
- 公开(公告)号：WO2014099036A1 公开(公告)日：2014-06-26
- 发明人： CHU-KUNG, Benjamin , LE, Van H. , CHAU, Robert S. , DASGUPTA, Sansaptak , DEWEY, Gilbert , GOEL, Nitika , KAVALIEROS, Jack T. , METZ, Matthew V. , MUKHERJEE, Niloy , PILLARISETTY, Ravi , RACHMADY, Willy , RADOSAVLJEVIC, Marko , THEN, Han Wui , ZELICK, Nancy M.
- 申请人： INTEL CORPORATION
- 申请人地址： 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054 US
- 专利权人： INTEL CORPORATION
- 当前专利权人： INTEL CORPORATION
- 当前专利权人地址： 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054 US
- 代理机构： RICHARDS, II, E.E. Jack
- 优先权： US13/721,759 20121220
- 主分类号： H01L21/20
- IPC分类号： H01L21/20
摘要：
An embodiment of the invention includes an epitaxial layer that directly contacts, for example, a nanowire, fin, or pillar in a manner that allows the layer to relax with two or three degrees of freedom. The epitaxial layer may be included in a channel region of a transistor. The nanowire, fin, or pillar may be removed to provide greater access to the epitaxial layer. Doing so may allow for a "all-around gate" structure where the gate surrounds the top, bottom, and sidewalls of the epitaxial layer. Other embodiments are described herein.
摘要（中）：
本发明的实施例包括外延层，其以允许该层以两个或三个自由度放松的方式直接接触例如纳米线，翅片或支柱。 外延层可以包括在晶体管的沟道区中。 可以去除纳米线，鳍或柱以提供对外延层的更大的访问。 这样做可以允许围绕外延层的顶部，底部和侧壁的“全向栅极”结构。 本文描述了其它实施例。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/20 | ....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长 |