基本信息:
- 专利标题： 酸化物半導体薄膜とその製造方法および薄膜トランジスタ
- 专利标题（英）：Oxide semiconductor thin film, method for producing same, and thin film transistor
- 专利标题（中）：氧化物半导体薄膜，其制造方法和薄膜晶体管
- 申请号：PCT/JP2013/081445 申请日：2013-11-21
- 公开(公告)号：WO2014080996A1 公开(公告)日：2014-05-30
- 发明人： 中山 徳行
- 申请人： 住友金属鉱山株式会社
- 申请人地址： 〒1058716 東京都港区新橋5丁目11番3号 Tokyo JP
- 专利权人： 住友金属鉱山株式会社
- 当前专利权人： 住友金属鉱山株式会社
- 当前专利权人地址： 〒1058716 東京都港区新橋５丁目１１番３号 Tokyo JP
- 代理机构： 特許業務法人貴和特許事務所
- 优先权： JP2012-256866 20121122
- 主分类号： H01L29/786
- IPC分类号： H01L29/786 ; C23C14/08 ; C23C14/58 ; H01L21/336 ; H01L21/363 ; H01L29/24
摘要：
【課題】比較的高いキャリア移動度を有し、ＴＦＴのチャネル層材料として好適な酸化物半導体薄膜を、酸化物結晶質薄膜により提供する。 【解決手段】インジウムとチタンを含有する酸化物からなり、チタン含有量が、Ｔｉ／Ｉｎ原子数比で０．００５～０．１２である非晶質膜を、２５０℃以上の加熱温度、および、１分～１２０分の処理時間でアニール処理を施すことにより得られる。この酸化物半導体薄膜は、結晶質で、ビックスバイト型構造のＩｎ 2 Ｏ 3 相によってのみ構成されており、かつ、キャリア濃度が１×１０ 19 ｃｍ -3 以下で、キャリア移動度が１ｃｍ 2 ／Ｖｓｅｃ以上であることを特徴とする。
摘要（中）：
本发明提供一种氧化物半导体薄膜，其具有较高的载流子迁移率，并且适合作为TFT的沟道层的材料，通过氧化物晶体薄膜。 [解决方案]该氧化物半导体薄膜通过将由含有铟和钛的氧化物形成的非晶体膜以Ti / In原子比为0.005〜0.12的Ti / In原子比进行退火处理，在加热温度为 250℃，治疗时间为1-120分钟。 该氧化物半导体薄膜的特征在于：结晶; 仅配置具有双相结构的In 2 O 3相; 载流子浓度为1×1019 cm -3以下; 并具有1cm 2 / V·sec以上的载流子迁移率。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |
| ------------------H01L29/786 | ......薄膜晶体管 |