基本信息:
- 专利标题： FLUOROCARBON MOLECULES FOR HIGH ASPECT RATIO OXIDE ETCH
- 专利标题（中）：用于高比例氧化物蚀刻的氟化物分子
- 申请号：PCT/US2013/067415 申请日：2013-10-30
- 公开(公告)号：WO2014070838A1 公开(公告)日：2014-05-08
- 发明人： ANDERSON, Curtis , GUPTA, Rahul , OMARJEE, Vincent M. , STAFFORD, Nathan , DUSSARRAT, Christian
- 申请人： L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE , ANDERSON, Curtis , GUPTA, Rahul , OMARJEE, Vincent M. , STAFFORD, Nathan , DUSSARRAT, Christian
- 申请人地址： 75 quai d'Orsay F-75007 Paris FR
- 专利权人： L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE,ANDERSON, Curtis,GUPTA, Rahul,OMARJEE, Vincent M.,STAFFORD, Nathan,DUSSARRAT, Christian
- 当前专利权人： L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE,ANDERSON, Curtis,GUPTA, Rahul,OMARJEE, Vincent M.,STAFFORD, Nathan,DUSSARRAT, Christian
- 当前专利权人地址： 75 quai d'Orsay F-75007 Paris FR
- 代理机构： MCQUEENEY, Patricia, E. et al.
- 优先权： US61/720,139 20121030
- 主分类号： H01L21/306
- IPC分类号： H01L21/306
摘要：
Etching gases are disclosed for plasma etching channel holes, gate trenches, staircase contacts, capacitor holes, contact holes, etc., in Si-containing layers on a substrate and plasma etching methods of using the same. The etching gases are trans-1,1,1,4,4,4-hexafluoro-2-butene; cis-1,1,1,4,4,4-hexafluoro-2-butene; hexafluoroisobutene; hexafluorocyclobutane (trans-1,1,2,2,3,4); pentafluorocyclobutane (1,1,2,2,3-); tetrafluorocyclobutane (1,1,2,2-); or hexafluorocyclobutane (cis-1,1,2,2,3,4). The etching gases may provide improved selectivity between the Si-containing layers and mask material, less damage to channel region, a straight vertical profile, and reduced bowing in pattern high aspect ratio structures.
摘要（中）：
公开了用于等离子体蚀刻通道孔，栅极沟槽，阶梯接触，电容器孔，接触孔等的衬底上的含Si层中的蚀刻气体，以及使用其的等离子体蚀刻方法。 蚀刻气体是反式-1,1,1,4,4,4-六氟-2-丁烯; 顺式 - 1,1,1,4,4,4-六氟-2-丁烯; 六氟异丁烯; 六氟环丁烷（反式-1,1,2,2,3,4）; 五氟环丁烷（1,1,2,2,3-）; 四氟环丁烷（1,1,2,2-）; 或六氟环丁烷（顺式-1,1,2,2,3,4）。 蚀刻气体可以在含Si层和掩模材料之间提供改善的选择性，对通道区域的损害更小，直的垂直剖面，以及图案高纵横比结构中的弯曲减小。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/306 | ......化学或电处理，例如电解腐蚀 |