基本信息:
- 专利标题： プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置
- 专利标题（英）：Plasma etching method and plasma etching apparatus
- 专利标题（中）：等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置
- 申请号：PCT/JP2013/071129 申请日：2013-08-05
- 公开(公告)号：WO2014024833A1 公开(公告)日：2014-02-13
- 发明人： 吉田 亮一 , 石井 孝幸 , 小林 憲
- 申请人： 東京エレクトロン株式会社
- 申请人地址： 〒1076325 東京都港区赤坂五丁目3番1号 Tokyo JP
- 专利权人： 東京エレクトロン株式会社
- 当前专利权人： 東京エレクトロン株式会社
- 当前专利权人地址： 〒1076325 東京都港区赤坂五丁目３番１号 Tokyo JP
- 代理机构： 酒井 宏明
- 优先权： JP2012-177053 20120809; US61/693,391 20120827
- 主分类号： H01L21/3065
- IPC分类号： H01L21/3065
摘要：
プラズマエッチング方法は、実施形態の一例において、所定のパターンに形成されたフォトレジストの表面を水素含有ガスによるプラズマによりプラズマ処理するプラズマ処理工程を含む。また、プラズマエッチング方法は、実施形態の一例において、プラズマ処理されたフォトレジストをマスクとしてＣＦ系ガス及びＣＨＦ系含有ガスによりシリコン含有膜をエッチングするエッチング工程を含む。また、プラズマエッチング方法は、実施形態の一例において、プラズマ処理工程とエッチング工程とを少なくとも２回以上繰り返す。
摘要（中）：
在本发明的一个实施例中，等离子体蚀刻方法包括等离子体处理步骤，其中以规定图案形成的光致抗蚀剂的表面使用含氢气体的等离子体进行等离子体处理。 在本实施例中，等离子体蚀刻方法包括蚀刻步骤，其中使用CF气体和含有CHF气体的气体，使用等离子体处理的光致抗蚀剂作为掩模来蚀刻含硅膜。 在本实施例中，等离子体蚀刻方法包括重复等离子体处理步骤和蚀刻步骤至少两次。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/306 | ......化学或电处理，例如电解腐蚀 |
| --------------------H01L21/3065 | .......等离子腐蚀；活性离子腐蚀 |