基本信息:
- 专利标题： SILICON CARBIDE LAMINA
- 专利标题（中）：硅碳化硅
- 申请号：PCT/US2013/051541 申请日：2013-07-22
- 公开(公告)号：WO2014018462A1 公开(公告)日：2014-01-30
- 发明人： MURALI, Venkatesan , BABAYAN, Steve , PETTI, Christopher, J.
- 申请人： GTAT CORPORATION
- 申请人地址： 20 Trafalgar Square Nashua, NH 03063 US
- 专利权人： GTAT CORPORATION
- 当前专利权人： GTAT CORPORATION
- 当前专利权人地址： 20 Trafalgar Square Nashua, NH 03063 US
- 代理机构： MUELLER, Heather et al.
- 优先权： US13/558,843 20120726
- 主分类号： H01L21/20
- IPC分类号： H01L21/20
摘要：
A method of fabricating an electronic device includes providing a silicon carbide or diamond-like carbon donor body and implanting ions into a first surface of the donor body to define a cleave plane. After implanting, an epitaxial layer is formed on the first surface, and a temporary carrier is coupled to the epitaxial layer. A lamina is cleaved from the donor body at the cleave plane, and the temporary carrier is removed from the lamina. In some embodiments a light emitting diode or a high electron mobility transistor is fabricated from the lamina and epitaxial layer.
摘要（中）：
一种制造电子器件的方法包括提供碳化硅或类金刚石碳供体，并将离子注入施主体的第一表面以限定解理面。 在注入之后，在第一表面上形成外延层，并且临时载体耦合到外延层。 在切割平面处从供体体中切割薄层，并将临时载体从薄片上移除。 在一些实施例中，从层板和外延层制造发光二极管或高电子迁移率晶体管。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/20 | ....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长 |