基本信息:
- 专利标题： 半導体装置および半導体装置の製造方法
- 专利标题（英）：Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method
- 专利标题（中）：半导体器件和半导体器件制造方法
- 申请号：PCT/JP2013/057562 申请日：2013-03-15
- 公开(公告)号：WO2013141181A1 公开(公告)日：2013-09-26
- 发明人： 水島 智教
- 申请人： 富士電機株式会社
- 申请人地址： 〒2109530 神奈川県川崎市川崎区田辺新田1番1号 Kanagawa JP
- 专利权人： 富士電機株式会社
- 当前专利权人： 富士電機株式会社
- 当前专利权人地址： 〒2109530 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 Kanagawa JP
- 代理机构： 酒井 昭徳
- 优先权： JP2012-067535 20120323
- 主分类号： H01L29/739
- IPC分类号： H01L29/739 ; H01L21/336 ; H01L29/78
摘要：
ｎ - ドリフト領域（１）の内部には、ｐ + コレクタ層と接する第１，２ｎ型フィールドストップ層（１０ａ，１０ｂ）が設けられている。第１ｎ型フィールドストップ層（１０ａ）は、ｎ + エミッタ領域（３）側に向かって急峻な傾斜で減少する不純物濃度分布を有する。第２ｎ型フィールドストップ層（１０ｂ）は、第１ｎ型フィールドストップ層（１０ａ）よりもｎ + エミッタ領域（３）側に向かって緩やかな傾斜で減少する不純物濃度分布を有し、そのピーク位置の不純物濃度は第１ｎ型フィールドストップ層（１０ａ）の不純物濃度分布よりも低い。第１，２ｎ型フィールドストップ層（１０ａ，１０ｂ）の不純物濃度分布のピーク位置は等しい。第１，２ｎ型フィールドストップ層（１０ａ，１０ｂ）は、飛程が等しく、かつ加速エネルギーが異なる第１，２プロトン照射およびアニールにより形成される。
摘要（中）：
在n漂移区域（1）中，第一和第二n型场阻挡层（10a，10b）设置成与p +集电极层接触。 第一n型场阻挡层（10a）具有其浓度朝向n +发射极区域（3）侧急剧减小的杂质浓度分布。 第二n型场阻挡层（10b）与第一n型场致发射层（10a）相比，具有向n +发射极区域（3）侧适度减小浓度的杂质浓度分布，峰值位置处的杂质浓度为 低于第一n型场停止层（10a）的杂质浓度分布的值。 第一和第二n型场阻挡层（10a，10b）的峰值位置彼此相等。 第一和第二n型场阻挡层（10a，10b）分别通过第一和第二质子照射在相等的范围内但不同的加速能级和退火形成。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/72 | ....晶体管型器件，如连续响应于所施加的控制信号的 |
| ----------------H01L29/739 | .....受场效应控制的 |