基本信息:
- 专利标题： ナノインプリントモールド用ブランク、ナノインプリントモールドおよびそれらの製造方法
- 专利标题（英）：Blank for nanoimprint mold, nanoimprint mold, and methods for producing said blank and said nanoimprint mold
- 专利标题（中）：NANOIMPRINT模具用空白，NANOIMPRINT模具，以及生产上述空白和制作NANOIMPRINT模具的方法
- 申请号：PCT/JP2013/050488 申请日：2013-01-11
- 公开(公告)号：WO2013111631A1 公开(公告)日：2013-08-01
- 发明人： 林 和幸 , 前重 和伸 , 岩橋 康臣
- 申请人： 旭硝子株式会社
- 申请人地址： 〒1008405 東京都千代田区丸の内一丁目5番1号 Tokyo JP
- 专利权人： 旭硝子株式会社
- 当前专利权人： 旭硝子株式会社
- 当前专利权人地址： 〒1008405 東京都千代田区丸の内一丁目５番１号 Tokyo JP
- 代理机构： 濱田 百合子
- 优先权： JP2012-010975 20120123
- 主分类号： H01L21/027
- IPC分类号： H01L21/027 ; B29C33/38 ; B29C59/02 ; C03B20/00 ; C03C17/22
摘要：
本発明は、ガラス基板と、該ガラス基板上に形成したハードマスク層と、を含むナノインプリントモールド用ブランクであって、前記ハードマスク層が、クロム（Ｃｒ）及び窒素（Ｎ）を含有し、Ｃｒの含有率が４５～９５ａｔ％であり、Ｎの含有率が５～５５ａｔ％であり、ＣｒおよびＮの合計含有率が９５ａｔ％以上であり、該ハードマスク層の膜厚が１．５ｎｍ以上５ｎｍ未満である、ナノインプリントモールド用ブランクに関する。
摘要（中）：
本发明涉及一种用于纳米压印模具的坯料，其包括玻璃基板和形成在玻璃基板上的硬掩模层，其中硬掩模层包含铬（Cr）和氮（N），并且Cr含量为45至 95原子％，N含量为5〜55原子％，Cr和N的总含量为95原子％以上，硬掩模层的厚度为1.5nm以上且小于5nm。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |