基本信息:
- 专利标题： METHOD FOR PREPARING DI-ORGANO-DIALKOXYSILANES
- 专利标题（中）：制备去有机 - 二烷基氧化硅的方法
- 申请号：PCT/EP2012/005300 申请日：2012-12-20
- 公开(公告)号：WO2013102480A1 公开(公告)日：2013-07-11
- 发明人： SAINANI, Jaiprakash Brijlal , VIMALKUMAR, Mahendrabhai Patel , DAVADRA, Mahesh
- 申请人： SAUDI BASIC INDUSTRIES CORPORATION , SABIC PETROCHEMICALS B.V.
- 申请人地址： P.O. Box 5101 11422 Riyadh SA
- 专利权人： SAUDI BASIC INDUSTRIES CORPORATION,SABIC PETROCHEMICALS B.V.
- 当前专利权人： SAUDI BASIC INDUSTRIES CORPORATION,SABIC PETROCHEMICALS B.V.
- 当前专利权人地址： P.O. Box 5101 11422 Riyadh SA
- 代理机构： ZUIDEVELD, M.
- 优先权： EP12000022.9 20120103
- 主分类号： C07F7/18
- IPC分类号： C07F7/18
摘要：
The present invention relates to a method for preparing di-organo-dialkoxysilanes, in particular di-organo-dialkoxysilanes wherein one or both of the organic substituents are bulky. The method comprises reacting a tetraalkoxysilane compound with a first Grignard reagent to form a mono-organo-tri-alkoxysilane compound, which is then reacted with a chlorinating agent to form a chlorinated mono-organo-di-alkoxysilane which is then reacted with a second Grignard reagent to form the di-organo-di-alkoxysilane compound.
摘要（中）：
本发明涉及二有机 - 二烷氧基硅烷的制备方法，特别是二有机 - 二烷氧基硅烷，其中一个或两个有机取代基是体积大的。 该方法包括使四烷氧基硅烷化合物与第一格氏试剂反应形成单有机三烷氧基硅烷化合物，然后与氯化剂反应形成氯化的单有机二烷氧基硅烷，然后与第二格 格氏试剂，形成二有机二烷氧基硅烷化合物。
IPC结构图谱:
| C | 化学；冶金 |
| --C07 | 有机化学 |
| ----C07F | 含除碳、氢、卤素、氧、氮、硫、硒或碲以外的其他元素的无环，碳环或杂环化合物 |
| ------C07F7/00 | 含周期表第Ⅳ族元素的化合物 |
| --------C07F7/02 | .硅化合物 |
| ----------C07F7/04 | ..硅酸的酯 |
| ------------C07F7/18 | ...具有1个或更多的C—Si键以及1个或更多的C—O—Si键的化合物 |