基本信息:
- 专利标题： HIGH DENSITY PACKAGE INTERCONNECTS
- 专利标题（中）：高密度封装互连
- 申请号：PCT/US2011/068278 申请日：2011-12-31
- 公开(公告)号：WO2013101243A1 公开(公告)日：2013-07-04
- 发明人： GANESAN, Sanka , QIAN, Zhiguo , SANKMAN, Robert L. , SRINIVASAN, Krishna , ZHU, Zhaohui
- 申请人： INTEL CORPORATION , GANESAN, Sanka , QIAN, Zhiguo , SANKMAN, Robert L. , SRINIVASAN, Krishna , ZHU, Zhaohui
- 申请人地址： 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, CA 95052 US
- 专利权人： INTEL CORPORATION,GANESAN, Sanka,QIAN, Zhiguo,SANKMAN, Robert L.,SRINIVASAN, Krishna,ZHU, Zhaohui
- 当前专利权人： INTEL CORPORATION,GANESAN, Sanka,QIAN, Zhiguo,SANKMAN, Robert L.,SRINIVASAN, Krishna,ZHU, Zhaohui
- 当前专利权人地址： 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, CA 95052 US
- 代理机构： RAYNES, Alan S.
- 主分类号： H01L21/60
- IPC分类号： H01L21/60
摘要：
Electronic assemblies and methods including the formation of interconnect structures are described. In one embodiment an apparatus includes semiconductor die and a first metal bump on the die, the first metal bump including a surface having a first part and a second part. The apparatus also includes a solder resistant coating covering the first part of the surface and leaving the second part of the surface uncovered. Other embodiments are described and claimed.
摘要（中）：
描述了包括形成互连结构的电子组件和方法。 在一个实施例中，设备包括半导体管芯和管芯上的第一金属凸块，第一金属凸块包括具有第一部分和第二部分的表面。 该设备还包括覆盖表面的第一部分并且使表面的第二部分未被覆盖的耐焊接涂层。 描述和要求保护其他实施例。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/50 | ...应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的 |
| --------------H01L21/60 | ....引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流 |