基本信息:
- 专利标题： DOUBLE PATTERNING LITHOGRAPHY TECHNIQUES
- 专利标题（中）：双重图案平铺技术
- 申请号：PCT/US2011/067929 申请日：2011-12-29
- 公开(公告)号：WO2013101107A1 公开(公告)日：2013-07-04
- 发明人： WALLACE, Charles H. , SIVAKUMAR, Swaminathan , TINGEY, Matthew L. , MUNASINGHE, Chanaka D. , RAHHAL-ORABI, Nadia M.
- 申请人： INTEL CORPORATION , WALLACE, Charles H. , SIVAKUMAR, Swaminathan , TINGEY, Matthew L. , MUNASINGHE, Chanaka D. , RAHHAL-ORABI, Nadia M.
- 申请人地址： 2200 Mission College Boulevard MS: RNB-4-150 Santa Clara, California 95052 US
- 专利权人： INTEL CORPORATION,WALLACE, Charles H.,SIVAKUMAR, Swaminathan,TINGEY, Matthew L.,MUNASINGHE, Chanaka D.,RAHHAL-ORABI, Nadia M.
- 当前专利权人： INTEL CORPORATION,WALLACE, Charles H.,SIVAKUMAR, Swaminathan,TINGEY, Matthew L.,MUNASINGHE, Chanaka D.,RAHHAL-ORABI, Nadia M.
- 当前专利权人地址： 2200 Mission College Boulevard MS: RNB-4-150 Santa Clara, California 95052 US
- 代理机构： MALONEY, Neil F.
- 主分类号： H01L21/027
- IPC分类号： H01L21/027
摘要：
Techniques are disclosed for double patterning of a lithographic feature using a barrier layer between the pattern layers. In some cases, the techniques may be implemented with double patterning of a one- or two-dimensional photolithographic feature, for example. In some embodiments, the barrier layer is deposited to protect a first photoresist pattern prior to application of a second photoresist pattern thereon and/or to tailor (e.g., shrink) one or more of the critical dimensions of a trench, hole, or other etchable geometric feature to be formed in a substrate or other suitable surface via lithographic processes. In some embodiments, the techniques may be implemented to generate/print small features (e.g., less than or equal to about 100 nm) including one- and two-dimensional features/structures of varying complexity.
摘要（中）：
公开了使用图案层之间的阻挡层对光刻特征进行双重图案化的技术。 在一些情况下，例如，可以通过双图案化一维或二维光刻特征来实现这些技术。 在一些实施例中，沉积阻挡层以在施加第二光致抗蚀剂图案之前保护第一光致抗蚀剂图案和/或定制（例如，收缩）沟槽，孔或其它可蚀刻的一个或多个临界尺寸 通过光刻工艺在衬底或其它合适的表面中形成的几何特征。 在一些实施例中，可以实施技术来生成/打印包括不同复杂度的一维和二维特征/结构的小特征（例如，小于或等于约100nm）。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |