基本信息:
- 专利标题： 接合構造体
- 专利标题（英）：Junction structure
- 专利标题（中）：结构结构
- 申请号：PCT/JP2012/008324 申请日：2012-12-26
- 公开(公告)号：WO2013099243A1 公开(公告)日：2013-07-04
- 发明人： 中村 太一 , 北浦 秀敏
- 申请人： パナソニック株式会社
- 申请人地址： 〒5718501 大阪府門真市大字門真1006番地 Osaka JP
- 专利权人： パナソニック株式会社
- 当前专利权人： パナソニック株式会社
- 当前专利权人地址： 〒5718501 大阪府門真市大字門真１００６番地 Osaka JP
- 代理机构： 鮫島 睦
- 优先权： JP2011-284893 20111227
- 主分类号： H01L21/52
- IPC分类号： H01L21/52 ; B23K35/14 ; H05K3/34
摘要：
接合構造体は、基板の電極と、半導体素子の電極と、基板の電極と半導体素子の電極との間を接合する接合部と、を備え、接合部は、ＣｕＳｎ系の金属間化合物を含む、第１の金属間化合物層と、Ｂｉ層と、ＣｕＳｎ系の金属間化合物を含む、第２の金属間化合物層と、Ｃｕ層と、ＣｕＳｎ系の金属間化合物を含む、第３の金属間化合物層と、が基板の電極から半導体素子の電極に向かって順に配置されている。
摘要（中）：
接合结构设置有：基板的电极; 半导体元件的电极; 以及连接基板的电极和半导体元件的电极的接合部。 从基板的电极开始朝向半导体元件的电极，在接合部分中按以下顺序放置以下层：含有CuSn基金属间化合物的第一金属间化合物层; 铋层; 包含CuSn基金属间化合物的第二金属间化合物层; 铜层; 以及含有CuSn系金属间化合物的第三金属间化合物层。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/50 | ...应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的 |
| --------------H01L21/52 | ....半导体在容器中的安装 |