基本信息:
- 专利标题： 半導体装置
- 专利标题（英）：Semiconductor device
- 专利标题（中）：半导体器件
- 申请号：PCT/JP2012/065533 申请日：2012-06-18
- 公开(公告)号：WO2013046824A1 公开(公告)日：2013-04-04
- 发明人： 奥村 啓樹
- 申请人： ローム株式会社 , 奥村 啓樹
- 申请人地址： 〒6158585 京都府京都市右京区西院溝崎町21番地 Kyoto JP
- 专利权人： ローム株式会社,奥村 啓樹
- 当前专利权人： ローム株式会社,奥村 啓樹
- 当前专利权人地址： 〒6158585 京都府京都市右京区西院溝崎町２１番地 Kyoto JP
- 代理机构： 稲岡 耕作
- 优先权： JP2011-217717 20110930
- 主分类号： H01L25/04
- IPC分类号： H01L25/04 ; H01L25/18
摘要：
一端がバイポーラデバイスに接続され、他端が導電部材に接続され、中間部がユニポーラデバイスに接続されているボンディングワイヤを含む半導体装置において、ワイヤボンディングの信頼性を向上化できる半導体装置を提供する。 パッケージ４は、ダイパッド６１と、ソース用リード６３と、第１のＭＯＳＦＥＴ１１と、第１のショットキーバリアダイオード２１と含む。第１のＭＯＳＦＥＴ１１のソース電極１１ Ｓ と第１のショットキーバリアダイオード２１のアノード電極２１ Ａ とソース用リード６３は、一端部が第１のＭＯＳＦＥＴ１１のソース電極１１ Ｓ に接合され、他端部がソース用リード６３に接合され、中間部が第１のショットキーバリアダイオード２１のアノード電極２１ Ａ に接合されたボンディングワイヤ３１によって電気的に接合されている。
摘要（中）：
提供一种半导体器件，其包括接合线，其一端连接到双极器件，其另一端连接到导电构件，并且其中心连接到单极器件，所述半导体器件为 能够提高引线接合的可靠性。 封装（4）包括管芯焊盘（61），源极引线（63），第一MOSFET（11）和第一肖特基势垒二极管（21）。 第一MOSFET（11）的源电极（11s），第一肖特基势垒二极管（21）的阳极电极（21A）和源极引线（63）通过接合线（31）电连接，一 其端部连接到第一MOSFET（11）的源电极（11s），其另一端连接到源极引线（63），并且其中心与阳极电极（21A）连接 第一肖特基势垒二极管（21）。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L25/00 | 由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件 |
| --------H01L25/03 | .所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件 |
| ----------H01L25/04 | ..不具有单独容器的器件 |