基本信息:
- 专利标题： SRAM单元及其制作方法
- 专利标题（英）：Sram unit and manufacturing method thereof
- 申请号：PCT/CN2011/082519 申请日：2011-11-21
- 公开(公告)号：WO2013040833A1 公开(公告)日：2013-03-28
- 发明人： 朱慧珑 , 梁擎擎
- 申请人： 中国科学院微电子研究所 , 朱慧珑 , 梁擎擎
- 申请人地址： 中国北京市朝阳区北土城西路3号, Beijing 100029 CN
- 专利权人： 中国科学院微电子研究所,朱慧珑,梁擎擎
- 当前专利权人： 中国科学院微电子研究所,朱慧珑,梁擎擎
- 当前专利权人地址： 中国北京市朝阳区北土城西路3号, Beijing 100029 CN
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 优先权： CN201110282569.8 20110921
- 主分类号： H01L27/11
- IPC分类号： H01L27/11 ; H01L21/8244
摘要：
提供了一种SRAM单元及其制作方法。SRAM单元包括：半导体层（1000）；在半导体层上形成的第一鳍式场效应晶体管和第二鳍式场效应晶体管，第一鳍式场效应晶体管包括对半导体层构图形成的第一鳍片，第一鳍片具有第一顶面和第一底面，第二鳍式场效应晶体管包括对半导体层构图形成的第二鳍片，第二鳍片具有第二顶面和第二底面，第一顶面和第二顶面持平，第一底面和第二底面接于半导体层，且第二鳍片的高度高于第一鳍片的高度。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |
| --------------H01L27/105 | ....包含场效应组件的 |
| ----------------H01L27/11 | .....静态随机存取存储结构的 |