基本信息:
- 专利标题： HIGH DEFINITION HEATER AND METHOD OF OPERATION
- 专利标题（中）：高定义加热器和操作方法
- 申请号：PCT/US2012/053117 申请日：2012-08-30
- 公开(公告)号：WO2013033381A2 公开(公告)日：2013-03-07
- 发明人： PTASIENSKI, Kevin , SMITH, Kevin, Robert , SWANSON, Cal, Thomas , SCHMIDT, Philip, Steven
- 申请人： WATLOW ELECTRIC MANUFACTURING COMPANY , PTASIENSKI, Kevin , SMITH, Kevin, Robert , SWANSON, Cal, Thomas , SCHMIDT, Philip, Steven
- 申请人地址： 1200 Lackland Road St. Louis, MO 63146 US
- 专利权人： WATLOW ELECTRIC MANUFACTURING COMPANY,PTASIENSKI, Kevin,SMITH, Kevin, Robert,SWANSON, Cal, Thomas,SCHMIDT, Philip, Steven
- 当前专利权人： WATLOW ELECTRIC MANUFACTURING COMPANY,PTASIENSKI, Kevin,SMITH, Kevin, Robert,SWANSON, Cal, Thomas,SCHMIDT, Philip, Steven
- 当前专利权人地址： 1200 Lackland Road St. Louis, MO 63146 US
- 代理机构： BURRIS, Kelly, K.
- 优先权： US61/635,310 20120419; US61/528,939 20110830
- 主分类号： H05B1/02
- IPC分类号： H05B1/02 ; H01L21/67 ; H05B3/26
摘要：
An apparatus is provided, by way of example, a heater for use in semiconductor processing equipment that includes a base functional layer having at least one functional zone. A substrate is secured to the base functional layer, and a tuning layer is secured to the substrate opposite the base functional layer. The tuning layer includes a plurality of zones that is greater in number than the zones of the base functional layer, and the tuning layer has lower power than the base functional layer. Further, a component, such as a chuck by way of example, is secured to the tuning layer opposite the substrate. The substrate defines a thermal conductivity to dissipate a requisite amount of power from the base functional layer.
摘要（中）：
例如，提供一种用于半导体处理设备的加热器，该加热器包括具有至少一个功能区的基本功能层。 将基板固定到基底功能层，并且调谐层固定到与基底功能层相对的基板。 调谐层包括多个区域，其数量大于基底功能层的区域，并且调谐层具有比基底功能层低的功率。 此外，通过示例的方式将诸如卡盘的部件固定到与基板相对的调谐层。 衬底限定热导率以从基底功能层消散所需量的功率。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H05 | 其他类目不包含的电技术 |
| ----H05B | 电热；其他类目不包含的电照明 |
| ------H05B1/00 | 电热装置的零部件 |
| --------H05B1/02 | .专用于加热设备的自动开关装置 |