基本信息:
- 专利标题： PLASMAIMMERSIONS-IONENIMPLANTATION IN NICHT LEITFÄHIGES SUBSTRAT
- 专利标题（英）：Plasma immersion ion implantation into a non-conductive substrate
- 专利标题（中）：等离子体浸没离子注入不导电的衬底
- 申请号：PCT/EP2012/064365 申请日：2012-07-23
- 公开(公告)号：WO2013011147A2 公开(公告)日：2013-01-24
- 发明人： HAUSER, Otto , FREY, Hartmut
- 申请人： HAUSER, Otto , FREY, Hartmut
- 申请人地址： Kennenburgerstr. 62 73732 Esslingen DE
- 专利权人： HAUSER, Otto,FREY, Hartmut
- 当前专利权人： HAUSER, Otto,FREY, Hartmut
- 当前专利权人地址： Kennenburgerstr. 62 73732 Esslingen DE
- 代理机构： RÜGER, BARTHELT & ABEL
- 优先权： DE10 20110721
- 主分类号： H01J37/32
- IPC分类号： H01J37/32
摘要：
Die vorliegende Erfindung schafft eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Plasmaimmersions-Ionenimplantation in ein elektrisch nicht leitfähiges Substrat (60). Zwischen einer ersten Elektrode (10) und einem metallischen Target (30) wird durch Kathodenzerstäubung desselben ein Plasma erzeugt, das Ionen des Targets enthält. Ein Substrat (60) wird durch eine zwischen ihm und der ersten Elektrode (10) angeordnete zweite Elektrode (20) mit Ionen beschossen, indem negative Hochspannungspulse (51) an die zweite Elektrode (20) bezogen auf die erste Elektrode (10) angelegt werden. In den Pulspausen beschleunigt die positive Ladung implantierter Ionen freie Elektronen aus dem Plasma zu dem Substrat (60) hin und führt einen Ladungsausgleich herbei. Eine auf der zweiten Elektrode (20) angebrachte keramische Beschichtung (22) erschwert die Abscheidung von Targetionen auf derselben, indem sie ebenfalls in den Pulspausen durch das entgegengerichtete elektrische Feld eine Abstoßung dieser Ionen erleichtert.
摘要（中）：
本发明提供的装置和在一个不导电的基底（60），用于等离子体浸没离子注入的方法。 的第一电极（10）和由其溅射金属靶（30）之间，产生等离子体，将含有靶的离子。 的基板（60）轰击由它和由负的高电压脉冲（51）到所述第二电极的第一电极（10）的第二电极（20）与离子之间布置（20）相对于所述第一电极（10）被施加 ， 在脉冲暂停，正电荷注入离子的朝向自由电子加速从等离子体至基板（60），并执行感应的电荷补偿。 一个在所述第二电极（20），其安装的陶瓷涂层（22）阻碍离子对同一目标的沉积，通过同样在脉冲间歇通过这些离子的相反电场斥力便利。