发明申请
WO2012170994A3 LOW DROOP LIGHT EMITTING DIODE STRUCTURE ON GALLIUM NITRIDE SEMIPOLAR SUBSTRATES
审中-公开
基本信息:
- 专利标题： LOW DROOP LIGHT EMITTING DIODE STRUCTURE ON GALLIUM NITRIDE SEMIPOLAR SUBSTRATES
- 专利标题（中）：氮化镓半导体基板上的低驱动发光二极管结构
- 申请号：PCT/US2012041872 申请日：2012-06-11
- 公开(公告)号：WO2012170994A3 公开(公告)日：2014-05-01
- 发明人： NAKAMURA SHUJI , DENBAARS STEVEN P , TANAKA SHINICHI , FEEZELL DANIEL F , ZHAO YUJI , PAN CHIH-CHIEN
- 申请人： UNIV CALIFORNIA , NAKAMURA SHUJI , DENBAARS STEVEN P , TANAKA SHINICHI , FEEZELL DANIEL F , ZHAO YUJI , PAN CHIH-CHIEN
- 专利权人： UNIV CALIFORNIA,NAKAMURA SHUJI,DENBAARS STEVEN P,TANAKA SHINICHI,FEEZELL DANIEL F,ZHAO YUJI,PAN CHIH-CHIEN
- 当前专利权人： UNIV CALIFORNIA,NAKAMURA SHUJI,DENBAARS STEVEN P,TANAKA SHINICHI,FEEZELL DANIEL F,ZHAO YUJI,PAN CHIH-CHIEN
- 优先权： US201161495829 2011-06-10
- 主分类号： H01L33/00
- IPC分类号： H01L33/00
摘要：
A light emitting diode structure of (Al,Ga,In)N thin films grown on a gallium nitride (GaN) semipolar substrate by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) that exhibits reduced droop. The device structure includes a quantum well (QW) active region of two or more periods, n-type superlattice layers (n-SLs) located below the QW active region, and p-type superlattice layers (p-SLs) above the QW active region. The present invention also encompasses a method of fabricating such a device.
摘要（中）：
通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）在氮化镓（GaN）半极性衬底上生长的（Al，Ga，In）N薄膜的发光二极管结构，其呈现减小的下垂。 该器件结构包括两个或多个周期的量子阱（QW）有源区，位于QW有源区下面的n型超晶格层（n-SL）以及QW有源区以上的p型超晶格层（p-SL） 地区。 本发明还包括制造这种装置的方法。