发明申请
WO2012099681A3 SEMICONDUCTOR PROCESSING SYSTEM AND METHODS USING CAPACITIVELY COUPLED PLASMA
审中-公开
基本信息:
- 专利标题： SEMICONDUCTOR PROCESSING SYSTEM AND METHODS USING CAPACITIVELY COUPLED PLASMA
- 专利标题（中）：半导体处理系统和使用电容耦合等离子体的方法
- 申请号：PCT/US2011066281 申请日：2011-12-20
- 公开(公告)号：WO2012099681A3 公开(公告)日：2012-09-13
- 发明人： YANG JANG-GYOO , MILLER MATTHEW L , CHEN XINGLONG , CHUC KIEN N , LIANG QIWEI , VENKATARAMAN SHANKAR , LUBOMIRSKY DMITRY
- 申请人： APPLIED MATERIALS INC , YANG JANG-GYOO , MILLER MATTHEW L , CHEN XINGLONG , CHUC KIEN N , LIANG QIWEI , VENKATARAMAN SHANKAR , LUBOMIRSKY DMITRY
- 专利权人： APPLIED MATERIALS INC,YANG JANG-GYOO,MILLER MATTHEW L,CHEN XINGLONG,CHUC KIEN N,LIANG QIWEI,VENKATARAMAN SHANKAR,LUBOMIRSKY DMITRY
- 当前专利权人： APPLIED MATERIALS INC,YANG JANG-GYOO,MILLER MATTHEW L,CHEN XINGLONG,CHUC KIEN N,LIANG QIWEI,VENKATARAMAN SHANKAR,LUBOMIRSKY DMITRY
- 优先权： US201161433633 2011-01-18
- 主分类号： H01L21/205
- IPC分类号： H01L21/205 ; H01L21/3065
摘要：
Substrate processing systems are described that have a capacitively coupled plasma (CCP) unit positioned inside a process chamber. The CCP unit may include a plasma excitation region formed between a first electrode and a second electrode. The first electrode may include a first plurality of openings to permit a first gas to enter the plasma excitation region, and the second electrode may include a second plurality of openings to permit an activated gas to exit the plasma excitation region. The system may further include a gas inlet for supplying the first gas to the first electrode of the CCP unit, and a pedestal that is operable to support a substrate. The pedestal is positioned below a gas reaction region into which the activated gas travels from the CCP unit.
摘要（中）：
描述了具有位于处理室内的电容耦合等离子体（CCP）单元的衬底处理系统。 CCP单元可以包括在第一电极和第二电极之间形成的等离子体激发区。 第一电极可以包括允许第一气体进入等离子体激发区域的第一多个开口，并且第二电极可以包括第二多个开口以允许活化气体离开等离子体激发区域。 该系统还可以包括用于将第一气体供应到CCP单元的第一电极的气体入口以及可操作以支撑基底的基座。 底座位于气体反应区下方，活化气体从CCP单元流入。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/20 | ....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长 |
| ----------------H01L21/205 | .....应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积 |