基本信息:
- 专利标题： FABRICATION OF THROUGH-SILICON VIAS ON SILICON WAFERS
- 专利标题（中）：在硅晶片上制造硅通孔硅
- 申请号：PCT/US2011064179 申请日：2011-12-09
- 公开(公告)号：WO2012087613A3 公开(公告)日：2012-08-16
- 发明人： RAJAGOPALAN NAGARAJAN , PARK JI AE , YAMASE RYAN , PATEL SHAMIK , NOWAK THOMAS , XIA LI-QUN , KIM BOK HOEN , DING RAN , BALDINO JIM , NAIK MEHUL , RAMASWAMI SESH
- 申请人： APPLIED MATERIALS INC , RAJAGOPALAN NAGARAJAN , PARK JI AE , YAMASE RYAN , PATEL SHAMIK , NOWAK THOMAS , XIA LI-QUN , KIM BOK HOEN , DING RAN , BALDINO JIM , NAIK MEHUL , RAMASWAMI SESH
- 专利权人： APPLIED MATERIALS INC,RAJAGOPALAN NAGARAJAN,PARK JI AE,YAMASE RYAN,PATEL SHAMIK,NOWAK THOMAS,XIA LI-QUN,KIM BOK HOEN,DING RAN,BALDINO JIM,NAIK MEHUL,RAMASWAMI SESH
- 当前专利权人： APPLIED MATERIALS INC,RAJAGOPALAN NAGARAJAN,PARK JI AE,YAMASE RYAN,PATEL SHAMIK,NOWAK THOMAS,XIA LI-QUN,KIM BOK HOEN,DING RAN,BALDINO JIM,NAIK MEHUL,RAMASWAMI SESH
- 优先权： US97706010 2010-12-22
- 主分类号： H01L21/60
- IPC分类号： H01L21/60 ; H01L23/045 ; H01L23/055 ; H01L23/48
摘要：
A through-silicon via fabrication method includes etching a plurality of through holes in a silicon plate. An oxide liner is deposited on the surface of the silicon plate and on the sidewalls and bottom wall of the through holes. A metallic conductor is then deposited in the through holes. In another version, which may be used concurrently with the oxide liner, a silicon nitride passivation layer is deposited on the exposed back surface of the silicon plate of the substrate.
摘要（中）：
硅通孔制造方法包括蚀刻硅板中的多个通孔。 氧化物衬垫沉积在硅板的表面上以及通孔的侧壁和底壁上。 然后将金属导体沉积在通孔中。 在可以与氧化物衬垫同时使用的另一种形式中，氮化硅钝化层被沉积在衬底的硅板的暴露的背表面上。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/50 | ...应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的 |
| --------------H01L21/60 | ....引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流 |