基本信息:
- 专利标题： LEAD STRUCTURES WITH VERTICAL OFFSETS
- 专利标题（中）：具有垂直偏移的引导结构
- 申请号：PCT/US2011/061647 申请日：2011-11-21
- 公开(公告)号：WO2012071325A1 公开(公告)日：2012-05-31
- 发明人： CRISP, Richard Dewitt , HABA, Belgacem , ZOHNI, Wael
- 申请人： TESSERA, INC. , CRISP, Richard Dewitt , HABA, Belgacem , ZOHNI, Wael
- 申请人地址： 3025 Orchard Parkway San Jose, CA 95134 US
- 专利权人： TESSERA, INC.,CRISP, Richard Dewitt,HABA, Belgacem,ZOHNI, Wael
- 当前专利权人： TESSERA, INC.,CRISP, Richard Dewitt,HABA, Belgacem,ZOHNI, Wael
- 当前专利权人地址： 3025 Orchard Parkway San Jose, CA 95134 US
- 代理机构： MILLET, Marcus J. et al.
- 优先权： US61/416,779 20101124
- 主分类号： H01L21/60
- IPC分类号： H01L21/60
摘要：
A microelectronic structure includes a first row of contacts (14) and a second row of contacts (24) offset from the first row, so that the first and second rows cooperatively define pairs of contacts. These pairs of contacts include first pairs (30a) and second pairs (30b) arranged in alternating sequence in the row direction. The first pairs are provided with low connectors (32a), whereas the second pairs are provided with high connectors (32b). The high connectors and low connectors have sections vertically offset from one another to reduce mutual impedance between adjacent connectors.
摘要（中）：
微电子结构包括第一排触点（14）和从第一行偏移的第二行触点（24），使得第一和第二行协作地限定成对的触点。 这些触点对包括沿行方向交替排列的第一对（30a）和第二对（30b）。 第一对设置有低连接器（32a），而第二对具有高连接器（32b）。 高连接器和低连接器具有彼此垂直偏移的部分，以减少相邻连接器之间的相互阻抗。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/50 | ...应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的 |
| --------------H01L21/60 | ....引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流 |