基本信息:
- 专利标题： 半導体装置およびその製造方法
- 专利标题（英）：Semiconductor device and method for producing same
- 专利标题（中）：半导体器件及其制造方法
- 申请号：PCT/JP2011/072916 申请日：2011-10-05
- 公开(公告)号：WO2012063578A1 公开(公告)日：2012-05-18
- 发明人： 岡田 政也 , 木山 誠 , 斎藤 雄 , 八重樫 誠司 , 横山 満徳 , 井上 和孝
- 申请人： 住友電気工業株式会社 , 岡田 政也 , 木山 誠 , 斎藤 雄 , 八重樫 誠司 , 横山 満徳 , 井上 和孝
- 申请人地址： 〒5410041 大阪府大阪市中央区北浜四丁目5番33号 Osaka JP
- 专利权人： 住友電気工業株式会社,岡田 政也,木山 誠,斎藤 雄,八重樫 誠司,横山 満徳,井上 和孝
- 当前专利权人： 住友電気工業株式会社,岡田 政也,木山 誠,斎藤 雄,八重樫 誠司,横山 満徳,井上 和孝
- 当前专利权人地址： 〒5410041 大阪府大阪市中央区北浜四丁目５番３３号 Osaka JP
- 代理机构： 中田 元己
- 优先权： JP2010-250055 20101108
- 主分类号： H01L29/80
- IPC分类号： H01L29/80 ; H01L21/28 ; H01L21/336 ; H01L21/338 ; H01L29/41 ; H01L29/778 ; H01L29/78 ; H01L29/812
摘要：
開口部が設けられ、当該開口部に二次元電子ガスで形成されるチャネルを備える縦型半導体装置の耐圧性能を向上させることを目的とする。 開口部２８が設けられたＧａＮ系積層体１５を備える縦型の半導体装置であって、ｎ型ＧａＮ系ドリフト層４／ｐ型ＧａＮ系バリア層６／ｎ型ＧａＮ系コンタクト層７、を備え、開口部を覆うように電子走行層２２および電子供給層２６を含む再成長層２７と、ソース電極Ｓと、再成長層上に位置するゲート電極Ｇとを備え、ゲート電極Ｇは、ｐ型ＧａＮバリア層の厚み範囲に対応する部分を覆い、かつ開口部の底部から離れた位置の壁面内で終端している。
摘要（中）：
本发明的目的是提高配备有孔径的垂直半导体器件的耐电压性能，并且在孔径处设置有由二维电子气体形成的沟道。 垂直半导体器件设置有设置有孔径（28）的GaN基层压体（15），其具有n型GaN漂移层（4），p型GaN阻挡层（6）， 和n型GaN接触层（7），并且设置有：以覆盖孔径的方式包含电子供体层（26）和电子转移层（22）的再生长层（27） ; 源极（S）; 和位于再生长层上方的栅电极（G）。 栅电极（G）覆盖对应于p型GaN阻挡层的厚度范围的部分，并且终止于远离孔径的壁表面的位置。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/80 | .....由PN结或其他整流结栅产生场效应的 |