基本信息:
- 专利标题： PECVD OXIDE-NITRIDE AND OXIDE-SILICON STACKS FOR 3D MEMORY APPLICATION
- 专利标题（中）：用于3D存储器应用的PECVD OXIDE-NITRIDE和OXIDE-SILICON堆叠
- 申请号：PCT/US2011053730 申请日：2011-09-28
- 公开(公告)号：WO2012047697A3 公开(公告)日：2012-06-28
- 发明人： RAJAGOPALAN NAGARAJAN , HAN XINHAI , PARK J AE , KIYOHARA TSUTOMU , PARK SOHYUN , KIM BOK HOEN
- 申请人： APPLIED MATERIALS INC , RAJAGOPALAN NAGARAJAN , HAN XINHAI , PARK J AE , KIYOHARA TSUTOMU , PARK SOHYUN , KIM BOK HOEN
- 专利权人： APPLIED MATERIALS INC,RAJAGOPALAN NAGARAJAN,HAN XINHAI,PARK J AE,KIYOHARA TSUTOMU,PARK SOHYUN,KIM BOK HOEN
- 当前专利权人： APPLIED MATERIALS INC,RAJAGOPALAN NAGARAJAN,HAN XINHAI,PARK J AE,KIYOHARA TSUTOMU,PARK SOHYUN,KIM BOK HOEN
- 优先权： US89940110 2010-10-06
- 主分类号： H01L21/205
- IPC分类号： H01L21/205
摘要：
A layer stack of different materials is deposited on a substrate in a single plasma enhanced chemical vapor deposition processing chamber while maintaining a vacuum. A substrate is placed in the processing chamber and a first processing gas is used to form a first layer of a first material on the substrate. A plasma purge and gas purge are performed before a second processing gas is used to form a second layer of a second material on the substrate. The plasma purge and gas purge are repeated and the additional layers of first and second materials are deposited on the layer stack.
摘要（中）：
在保持真空的同时，在单个等离子体增强化学气相沉积处理室中的衬底上沉积不同材料的层堆叠。 将衬底放置在处理室中，并且使用第一处理气体在衬底上形成第一材料的第一层。 在使用第二处理气体在基板上形成第二材料的第二层之前进行等离子体吹扫和气体吹扫。 等离子体吹扫和气体吹扫被重复，并且第一和第二材料的附加层沉积在层叠上。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/20 | ....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长 |
| ----------------H01L21/205 | .....应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积 |