基本信息:
- 专利标题： μ－ＰＣＤ法を用いた薄膜半導体の結晶性評価装置
- 专利标题（英）：Thin-film semiconductor crystallinity evaluation apparatus, using μ-pcd method
- 专利标题（中）：薄膜半导体晶体结构评估装置，使用？-PCD方法
- 申请号：PCT/JP2011/004911 申请日：2011-09-01
- 公开(公告)号：WO2012039099A1 公开(公告)日：2012-03-29
- 发明人： 迫田 尚和 , 高枩 弘行 , 乾 昌広 , 尾嶋 太
- 申请人： 株式会社神戸製鋼所 , 株式会社コベルコ科研 , 迫田 尚和 , 高枩 弘行 , 乾 昌広 , 尾嶋 太
- 申请人地址： 〒6518585 兵庫県神戸市中央区脇浜町2丁目10番26号 Hyogo JP
- 专利权人： 株式会社神戸製鋼所,株式会社コベルコ科研,迫田 尚和,高枩 弘行,乾 昌広,尾嶋 太
- 当前专利权人： 株式会社神戸製鋼所,株式会社コベルコ科研,迫田 尚和,高枩 弘行,乾 昌広,尾嶋 太
- 当前专利权人地址： 〒6518585 兵庫県神戸市中央区脇浜町２丁目１０番２６号 Hyogo JP
- 代理机构： 小谷 悦司
- 优先权： JP2010-211524 20100922
- 主分类号： H01L21/66
- IPC分类号： H01L21/66
摘要：
本発明にかかる薄膜半導体の結晶性評価装置１および結晶性評価方法では、薄膜半導体２ａの試料２の測定部位に、励起光および電磁波が照射され、試料２からの反射電磁波の強度を検出することで、試料２の結晶性が評価される。そして、試料２の薄膜半導体２ａは、導電性膜２ｂ上に形成されており、試料２と電磁波が放射される導波管１３との間には、励起光に対して透明である誘電体３がさらに配置される。このため、このような構成の薄膜半導体の結晶性評価装置１および該方法は、上述のような半導体薄膜２ａ下に導電性膜２ｂが形成されている場合でもその結晶性の評価を行うことができる。
摘要（中）：
在本发明的结晶度评价装置（1）和薄膜半导体的结晶度评价方法中，将激发光和电磁波照射在薄膜半导体（2a）的样品（2）的测量部分上 ），并且通过检测来自样品（2）的反射电磁波的强度来评估样品（2）的结晶度。 样品（2）的薄膜半导体（2a）形成在导电膜（2b）上，此外，在样品（2）和波导管（2）之间配置有表现出对激发光的透过性的电介质（3） 13），其中电磁波将被辐射。 通过使薄膜半导体结晶性评价装置（1）及其方法这样构成，即使在薄膜半导体（2a）的下方形成导电膜（2b）的情况下，也可以评价结晶性，如上所述 以上。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/66 | .在制造或处理过程中的测试或测量 |