基本信息:
- 专利标题： CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF RUTHENIUM FILMS CONTAINING OXYGEN OR CARBON
- 专利标题（中）：包含氧气或碳氢化合物的薄膜的化学气相沉积
- 申请号：PCT/US2011/040336 申请日：2011-06-14
- 公开(公告)号：WO2011159691A2 公开(公告)日：2011-12-22
- 发明人： KIM, Hoon , LEE, Sang-Hyeob , YU, Sang Ho , LEE, Wei Ti , GANGULI, Seshadri , HA, Hyoung-Chan
- 申请人： APPLIED MATERIALS, INC. , KIM, Hoon , LEE, Sang-Hyeob , YU, Sang Ho , LEE, Wei Ti , GANGULI, Seshadri , HA, Hyoung-Chan
- 申请人地址： 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 US
- 专利权人： APPLIED MATERIALS, INC.,KIM, Hoon,LEE, Sang-Hyeob,YU, Sang Ho,LEE, Wei Ti,GANGULI, Seshadri,HA, Hyoung-Chan
- 当前专利权人： APPLIED MATERIALS, INC.,KIM, Hoon,LEE, Sang-Hyeob,YU, Sang Ho,LEE, Wei Ti,GANGULI, Seshadri,HA, Hyoung-Chan
- 当前专利权人地址： 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 US
- 代理机构： TABOADA, Alan
- 优先权： US13/155,520 20110608; US61/356,391 20100618
- 主分类号： H01L21/31
- IPC分类号： H01L21/31 ; H01L21/205
摘要：
Methods for depositing ruthenium-containing films are provided herein. In some embodiments, a method of depositing a ruthenium-containing film on a substrate may include depositing a ruthenium-containing film on a substrate using a ruthenium-containing precursor, the deposited ruthenium-containing film having carbon incorporated therein; and exposing the deposited ruthenium-containing film to an oxygen-containing gas to remove at least some of the carbon from the deposited ruthenium-containing film. In some embodiments, the oxygen-containing gas exposed ruthenium-containing film may be annealed in a hydrogen-containing gas to remove at least some oxygen from the ruthenium-containing film. In some embodiments, the deposition, exposure, and annealing may be repeated to deposit the ruthenium-containing film to a desired thickness.
摘要（中）：
本文提供了沉积含钌膜的方法。 在一些实施方案中，在基材上沉积含钌膜的方法可以包括使用含钌前驱体将沉积的含钌膜沉积在基板上， 并将沉积的含钌膜暴露于含氧气体中以从沉积的含钌膜中除去至少一些碳。 在一些实施方案中，含氧气体暴露的含钌膜可以在含氢气体中退火以从含钌膜中除去至少一些氧。 在一些实施例中，可以重复沉积，曝光和退火，以将含钌膜沉积到期望的厚度。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/31 | .....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择 |