基本信息:
- 专利标题： 半導体装置およびその製造方法
- 专利标题（英）：Semiconductor device and method for manufacturing same
- 专利标题（中）：半导体器件及其制造方法
- 申请号：PCT/JP2011/063482 申请日：2011-06-13
- 公开(公告)号：WO2011158780A1 公开(公告)日：2011-12-22
- 发明人： 山中 雅貴 , 堀田 和重
- 申请人： シャープ株式会社 , 山中 雅貴 , 堀田 和重
- 申请人地址： 〒5458522 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 Osaka JP
- 专利权人： シャープ株式会社,山中 雅貴,堀田 和重
- 当前专利权人： シャープ株式会社,山中 雅貴,堀田 和重
- 当前专利权人地址： 〒5458522 大阪府大阪市阿倍野区長池町２２番２２号 Osaka JP
- 代理机构： 奥田 誠司
- 优先权： JP2010-136347 20100615
- 主分类号： H01L29/786
- IPC分类号： H01L29/786 ; G02F1/1368 ; G09F9/30 ; H01L21/20 ; H01L21/336 ; H01L21/8244 ; H01L27/08 ; H01L27/11
摘要：
ｎチャネル型の第１薄膜トランジスタおよびｐチャネル型の第２薄膜トランジスタを同一基板上に備える半導体装置であって、第１薄膜トランジスタは第１半導体層（１１）を有し、第２薄膜トランジスタは第２半導体層（２０）、第３半導体層（２１）および第４半導体層（２２）を有し、第１半導体層（１１）、第２半導体層（２０）、第３半導体層（２１）および第４半導体層（２２）は同一の膜から形成され、第１および第２半導体層（１１）、（２０）は、それぞれ、周縁に位置する傾斜部（１１ｅ）、（２０ｅ）と、傾斜部以外の部分からなる主部（１１ｍ）、（２０ｍ）とを有し、第１半導体層の傾斜部（１１ｅ）に、第１半導体層の主部（１１ｍ）および第２半導体層の主部（２０ｍ）よりも高い濃度でｐ型不純物が導入されている。
摘要（中）：
公开了一种半导体器件，其中在同一衬底上设置有n沟道型第一薄膜晶体管和p沟道型第二薄膜晶体管。 第一薄膜晶体管具有第一半导体层（11），第二薄膜晶体管具有第二半导体层（20），第三半导体层（21）和第四半导体层（22）。 第一半导体层（11），第二半导体层（20），第三半导体层（21）和第四半导体层（22）由相同的膜形成，第一和第二半导体层（11,20） 分别具有位于相应周边的倾斜部分（11e，20e）以及由倾斜部分以外的部分构成的主要部分（11m，20m）。 将p型杂质以比第一半导体层的主要部分（11m）高的浓度注入第一半导体层的倾斜部分（11e）中，并且在第二半导体的主要部分（20m）中注入 层。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |
| ------------------H01L29/786 | ......薄膜晶体管 |