基本信息:
- 专利标题： METAL GATE STRUCTURES AND METHODS FOR FORMING THEREOF
- 专利标题（中）：金属门结构及其形成方法
- 申请号：PCT/US2011038357 申请日：2011-05-27
- 公开(公告)号：WO2011153095A3 公开(公告)日：2012-03-01
- 发明人： GANGULI SESHADRI , YU SANG HO , LEE SANG-HYEOB , HA HYOUNG-CHAN , LEE WEI TI , KIM HOON , GANDIKOTA SRINIVAS , LEI YU , MORAES KEVIN , TANG XIANMIN
- 申请人： APPLIED MATERIALS INC , GANGULI SESHADRI , YU SANG HO , LEE SANG-HYEOB , HA HYOUNG-CHAN , LEE WEI TI , KIM HOON , GANDIKOTA SRINIVAS , LEI YU , MORAES KEVIN , TANG XIANMIN
- 专利权人： APPLIED MATERIALS INC,GANGULI SESHADRI,YU SANG HO,LEE SANG-HYEOB,HA HYOUNG-CHAN,LEE WEI TI,KIM HOON,GANDIKOTA SRINIVAS,LEI YU,MORAES KEVIN,TANG XIANMIN
- 当前专利权人： APPLIED MATERIALS INC,GANGULI SESHADRI,YU SANG HO,LEE SANG-HYEOB,HA HYOUNG-CHAN,LEE WEI TI,KIM HOON,GANDIKOTA SRINIVAS,LEI YU,MORAES KEVIN,TANG XIANMIN
- 优先权： US35167810 2010-06-04
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L21/31 ; H01L21/336
摘要：
Metal gate structures and methods for forming thereof are provided herein. In some embodiments, a method for forming a metal gate structure on a substrate having a feature formed in a high k dielectric layer may include depositing a first layer within the feature atop the dielectric layer; depositing a second layer comprising cobalt or nickel within the feature atop the first layer; and depositing a third layer comprising a metal within the feature atop the second layer to fill the feature, wherein at least one of the first or second layers forms a wetting layer to form a nucleation layer for a subsequently deposited layer, wherein one of the first, second, or third layers forms a work function layer, and wherein the third layer forms a gate electrode.
摘要（中）：
本文提供了金属门结构及其形成方法。 在一些实施例中，在具有形成在高k电介质层中的特征的衬底上形成金属栅极结构的方法可以包括在电介质层顶部的特征内沉积第一层; 在所述特征内在所述第一层顶部沉积包含钴或镍的第二层; 以及在第二层顶部沉积包括特征内的金属的第三层以填充该特征，其中第一层或第二层中的至少一层形成润湿层以形成后续沉积层的成核层，其中第一层 第二层或第三层形成功函数层，并且其中第三层形成栅电极。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |