基本信息:
- 专利标题： ウエハのダイシング方法、接続方法及び接続構造体
- 专利标题（英）：Wafer dicing method, connection method, and connecting structure
- 专利标题（中）：WAFER DICING方法，连接方法和连接结构
- 申请号：PCT/JP2011/062699 申请日：2011-06-02
- 公开(公告)号：WO2011152491A1 公开(公告)日：2011-12-08
- 发明人： 西村 淳一
- 申请人： ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 , 西村 淳一
- 申请人地址： 〒1410032 東京都品川区大崎1丁目11番2号 ゲートシティ大崎イーストタワー8階 Tokyo JP
- 专利权人： ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社,西村 淳一
- 当前专利权人： ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社,西村 淳一
- 当前专利权人地址： 〒1410032 東京都品川区大崎１丁目１１番２号 ゲートシティ大崎イーストタワー８階 Tokyo JP
- 代理机构： 小池 晃
- 优先权： JP2010-126918 20100602
- 主分类号： H01L21/301
- IPC分类号： H01L21/301 ; H01L21/60
摘要：
ウエハを加工した後の保護フィルムの剥離性を良好とするウエハのダイシング方法を提供する。ウエハ（１０）の一方の面（１０ａ）に接着層（２２）と保護フィルム（２４）とが順次積層されてなる接着フィルム付きウエハ（３９）の保護フィルム（２４）の面をダイシングテープ（１８）に貼着する貼着工程Ｓ１と、接着フィルム付きウエハ（３９）の他方の面（３９ｂ）側から、接着フィルム付きウエハにおけるウエハの一方の面（１０ａ）の画像を撮像する撮像工程Ｓ２と、撮像工程Ｓ２で撮像した画像に基づいて、接着フィルム付きウエハ（３９）を分割する位置を決定する分割位置決定工程Ｓ３と、分割位置決定工程Ｓ３で決定した位置に基づいて、接着層付きチップ（６４）と保護フィルム（２４）とを備える複数の接着フィルム付きチップ（６０）を形成する切削溝形成工程Ｓ４と、接着フィルム付きチップ（６０）から、接着層付きチップ（６４）をピックアップするピックアップ工程Ｓ５とを有する。
摘要（中）：
提供了一种晶片切割方法，其提高了晶片经处理后的保护膜的剥离性。 晶片切割方法具有以下步骤：将切割胶带（18）粘贴到其上附着有粘合膜的晶片（39）的保护膜（24）的表面上的粘贴步骤（S1），所述晶片（39） 通过在晶片（10）的一个表面（10a）上按顺序分层粘合剂层（22）和保护膜（24）而形成; 从晶片（39）的另一侧的表面（39b）取出其中安装有粘合膜的晶片（39）中的晶片的一个表面（10a）的图像的成像步骤（S2） 具有附着于其上的粘合膜; 基于在摄像步骤（S2）中拍摄的图像来确定分割位置确定步骤（S3），其中分离具有粘附膜的晶片（39）的位置; 切割槽形成步骤（S4），其中，根据所述位置，形成多个附着有粘合剂膜的芯片（60）和附着有粘合剂层的芯片（64）的保护膜（24） 在分割位置确定步骤（S3）中确定; 以及拾取步骤（S5），其中具有粘附层的芯片（64）从附着有粘合膜的芯片（60）拾取。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/301 | .....把半导体再细分成分离部分，例如分隔 |