基本信息:
- 专利标题： METHOD OF MANUFACTURE OF CHALCOGENIDE-BASED PHOTOVOLTAIC CELLS
- 专利标题（中）：基于聚合物的光伏电池的制备方法
- 申请号：PCT/US2011034269 申请日：2011-04-28
- 公开(公告)号：WO2011137216A3 公开(公告)日：2012-04-12
- 发明人： BRYDEN TODD R , FENTON JEFFREY L JR , MITCHELL GARY E , THOMPSON KIRK R , MILLS MICHAEL E , PARRILLO DAVID J
- 申请人： DOW GLOBAL TECHNOLOGIES LLC , BRYDEN TODD R , FENTON JEFFREY L JR , MITCHELL GARY E , THOMPSON KIRK R , MILLS MICHAEL E , PARRILLO DAVID J
- 专利权人： DOW GLOBAL TECHNOLOGIES LLC,BRYDEN TODD R,FENTON JEFFREY L JR,MITCHELL GARY E,THOMPSON KIRK R,MILLS MICHAEL E,PARRILLO DAVID J
- 当前专利权人： DOW GLOBAL TECHNOLOGIES LLC,BRYDEN TODD R,FENTON JEFFREY L JR,MITCHELL GARY E,THOMPSON KIRK R,MILLS MICHAEL E,PARRILLO DAVID J
- 优先权： US32972810 2010-04-30
- 主分类号： H01L31/0749
- IPC分类号： H01L31/0749 ; C23C14/06 ; H01L21/02 ; H01L31/032 ; H01L31/0336 ; H01L31/18
摘要：
The invention is a method of forming a cadmium sulfide based buffer on a copper chalcogenide based absorber in making a photovoltaic cell. The buffer is sputtered at relatively high pressures. The resulting cell has good efficiency and according to one embodiment is characterized by a narrow interface between the absorber and buffer layers. The buffer is further characterized according to a second embodiment by a relatively high oxygen content.
摘要（中）：
本发明是一种在制造光伏电池的同时在铜硫属元素化物系吸收体上形成硫化镉基缓冲剂的方法。 缓冲液在相对高的压力下溅射。 所得到的电池具有良好的效率，并且根据一个实施例的特征在于吸收体和缓冲层之间的窄界面。 根据第二实施方案，缓冲剂通过相对高的氧含量被进一步表征。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L31/00 | 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件 |
| --------H01L31/02 | .零部件 |
| ----------H01L31/042 | ..包括光电池板或阵列，如太阳电池板或阵列 |
| ------------H01L31/072 | ...只是PN异质结型势垒的 |
| --------------H01L31/0749 | ....包括AIBIIICVI化合物，例如CdS/CuInSe2 |