基本信息:
- 专利标题： 形成沟道材料的方法
- 专利标题（英）：Method for forming channel materials
- 申请号：PCT/CN2010/077272 申请日：2010-09-25
- 公开(公告)号：WO2011106973A1 公开(公告)日：2011-09-09
- 发明人： 骆志炯 , 朱慧珑 , 尹海洲
- 申请人： 中国科学院微电子研究所 , 骆志炯 , 朱慧珑 , 尹海洲
- 申请人地址： 中国北京市朝阳区北土城西路3号, Beijing 100029 CN
- 专利权人： 中国科学院微电子研究所,骆志炯,朱慧珑,尹海洲
- 当前专利权人： 中国科学院微电子研究所,骆志炯,朱慧珑,尹海洲
- 当前专利权人地址： 中国北京市朝阳区北土城西路3号, Beijing 100029 CN
- 代理机构： 北京市立方律师事务所
- 优先权： CN201010118194.7 20100303
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336 ; H01L29/78
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/335 | .....场效应晶体管 |
| ------------------H01L21/336 | ......带有绝缘栅的 |