基本信息:
- 专利标题： SEMICONDUCTOR CHIP DEVICE WITH SOLDER DIFFUSION PROTECTION
- 专利标题（中）：具有焊接扩展保护功能的半导体芯片器件
- 申请号：PCT/US2010059981 申请日：2010-12-11
- 公开(公告)号：WO2011084362A3 公开(公告)日：2011-09-01
- 发明人： SU MICHAEL Z
- 申请人： ADVANCED MICRO DEVICES INC , SU MICHAEL Z
- 专利权人： ADVANCED MICRO DEVICES INC,SU MICHAEL Z
- 当前专利权人： ADVANCED MICRO DEVICES INC,SU MICHAEL Z
- 优先权： US64347709 2009-12-21
- 主分类号： H01L25/065
- IPC分类号： H01L25/065 ; H01L23/00 ; H01L23/31 ; H01L23/42
摘要：
Various methods and apparatus for establishing thermal pathways for a semiconductor device using solder-type thermal material (90) are disclosed. In one aspect, a method of manufacturing is provided that includes providing a first semiconductor chip (20) that has a substrate and a first active circuitry portion (40) extending a first distance into the substrate. A barrier (135),which inhibits the diffusion of solder, is formed in the first semiconductor chip (20) that surrounds but is laterally separated from the first active circuitry portion (40) and extends into the substrate a second distance greater than the first distance.
摘要（中）：
公开了用于使用焊料型热材料（90）为半导体器件建立热路径的各种方法和装置。 在一个方面，提供一种制造方法，其包括提供具有基板的第一半导体芯片（20）和向基板延伸第一距离的第一有源电路部分（40）。 在第一半导体芯片（20）中形成阻止焊料扩散的阻挡层（135），该第一半导体芯片（20）围绕第一半导体芯片（20），但是与第一有源电路部分（40）横向分离，并延伸到基板的第二距离， 距离。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L25/00 | 由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件 |
| --------H01L25/03 | .所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件 |
| ----------H01L25/04 | ..不具有单独容器的器件 |
| ------------H01L25/065 | ...包含在H01L27/00组类型的器件 |