基本信息:
- 专利标题： PLANAR MOSFET WITH TEXTURED CHANNEL AND GATE
- 专利标题（中）：具有纹理通道和栅极的平面MOSFET
- 申请号：PCT/US2010/058069 申请日：2010-11-24
- 公开(公告)号：WO2011068737A2 公开(公告)日：2011-06-09
- 发明人： KELLAM, Mark, D.
- 申请人： RAMBUS INC. , KELLAM, Mark, D.
- 申请人地址： 1050 Enterprise Way, Suite 700 Sunnyvale, CA 94089 US
- 专利权人： RAMBUS INC.,KELLAM, Mark, D.
- 当前专利权人： RAMBUS INC.,KELLAM, Mark, D.
- 当前专利权人地址： 1050 Enterprise Way, Suite 700 Sunnyvale, CA 94089 US
- 代理机构： KREISMAN, Lance, M.
- 优先权： US61/265,690 20091201
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L21/336
摘要：
A semiconductor device is disclosed that includes a semiconductor substrate having a channel region and respective source and drain regions formed on opposite sides of the channel region. The channel region includes at least one pore. A gate is formed on the semiconductor substrate between the source and drain regions and includes at least one pin received by respective ones of the at least one pore. A dielectric layer is disposed between the gate and the semiconductor substrate.
摘要（中）：
公开了一种半导体器件，其包括具有沟道区和形成在沟道区的相对侧上的相应源极和漏极区的半导体衬底。 沟道区域包括至少一个孔。 栅极形成在源极和漏极区域之间的半导体衬底上，并且包括由至少一个孔隙中的相应孔隙接收的至少一个管脚。 电介质层设置在栅极和半导体衬底之间。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |