基本信息:
- 专利标题： PROCESSES FOR PASSIVATING DIELECTRIC FILMS
- 专利标题（中）：用于钝化电介质膜的方法
- 申请号：PCT/US2010/052741 申请日：2010-10-14
- 公开(公告)号：WO2011049816A2 公开(公告)日：2011-04-28
- 发明人： BLOMBERG, Tom, E. , TOIS, Eva, E. , HUGGARE, Robert , MAES, Jan, Willem , MACHKAOUTSAN, Vladimir , PIERREUX, Dieter
- 申请人： ASM INTERNATIONAL N.V. , ASM AMERICA, INC. , BLOMBERG, Tom, E. , TOIS, Eva, E. , HUGGARE, Robert , MAES, Jan, Willem , MACHKAOUTSAN, Vladimir , PIERREUX, Dieter
- 申请人地址： Versterkerstraat 8 1322 AP Almere NL
- 专利权人： ASM INTERNATIONAL N.V.,ASM AMERICA, INC.,BLOMBERG, Tom, E.,TOIS, Eva, E.,HUGGARE, Robert,MAES, Jan, Willem,MACHKAOUTSAN, Vladimir,PIERREUX, Dieter
- 当前专利权人： ASM INTERNATIONAL N.V.,ASM AMERICA, INC.,BLOMBERG, Tom, E.,TOIS, Eva, E.,HUGGARE, Robert,MAES, Jan, Willem,MACHKAOUTSAN, Vladimir,PIERREUX, Dieter
- 当前专利权人地址： Versterkerstraat 8 1322 AP Almere NL
- 代理机构： CHRISTENSEN, Michael, R.
- 优先权： US61/253,444 20091020
- 主分类号： C23C14/06
- IPC分类号： C23C14/06 ; C23C14/20 ; C23C14/02 ; C23C16/30 ; C23C16/02 ; C23C16/44
摘要：
Methods are disclosed herein for depositing a passivation layer comprising fluorine over a dielectric material that is sensitive to chlorine, bromine, and iodine. The passivation layer can protect the sensitive dielectric layer thereby enabling deposition using precursors comprising chlorine, bromine, and iodine over the passivation layer.
摘要（中）：
本文公开了用于在对氯，溴和碘敏感的电介质材料上沉积包含氟的钝化层的方法。 钝化层可以保护敏感介电层，从而使得能够在钝化层上沉积使用包含氯，溴和碘的前体。