基本信息:
- 专利标题： SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A COPPER PLUG
- 专利标题（中）：具有铜插头的半导体器件
- 申请号：PCT/US2010046268 申请日：2010-08-23
- 公开(公告)号：WO2011043869A3 公开(公告)日：2011-06-03
- 发明人： FAROOQ MUKTA G , KINSER EMILY R , MELVILLE IAN D , SEMKOW KRYSTYNA W
- 申请人： IBM , FAROOQ MUKTA G , KINSER EMILY R , MELVILLE IAN D , SEMKOW KRYSTYNA W
- 专利权人： IBM,FAROOQ MUKTA G,KINSER EMILY R,MELVILLE IAN D,SEMKOW KRYSTYNA W
- 当前专利权人： IBM,FAROOQ MUKTA G,KINSER EMILY R,MELVILLE IAN D,SEMKOW KRYSTYNA W
- 优先权： US57318309 2009-10-05
- 主分类号： H01L21/60
- IPC分类号： H01L21/60 ; H01L23/48 ; H01L23/52
摘要：
Disclosed is a semiconductor device wherein an insulation layer has a copper plug in contact with the last wiring layer of the device. There may also be a barrier layer separating the copper plug from the insulation layer. In a further embodiment, there may also be an aluminum layer between the insulation layer and copper plug. Also disclosed is a process for making the semiconductor device.
摘要（中）：
公开了一种半导体器件，其中绝缘层具有与器件的最后布线层接触的铜插塞。 还可以存在将铜塞与绝缘层分离的阻挡层。 在另一实施例中，在绝缘层和铜插塞之间也可以有铝层。 还公开了制造半导体器件的方法。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/50 | ...应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的 |
| --------------H01L21/60 | ....引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流 |