基本信息:
- 专利标题： EXTREMELY LOW RESISTANCE FILMS AND METHODS FOR MODIFYING OR CREATING SAME
- 专利标题（中）：极低的电阻膜及其修饰或制造方法
- 申请号：PCT/US2010/051239 申请日：2010-10-02
- 公开(公告)号：WO2011041764A1 公开(公告)日：2011-04-07
- 发明人： GILBERT, Douglas, J. , CALE, Timothy, S.
- 申请人： AMBATURE L.L.C. , GILBERT, Douglas, J. , CALE, Timothy, S.
- 申请人地址： 506 N. Grant St. Suite M. Flagstaff, AZ 86004 US
- 专利权人： AMBATURE L.L.C.,GILBERT, Douglas, J.,CALE, Timothy, S.
- 当前专利权人： AMBATURE L.L.C.,GILBERT, Douglas, J.,CALE, Timothy, S.
- 当前专利权人地址： 506 N. Grant St. Suite M. Flagstaff, AZ 86004 US
- 代理机构： TOERING, Rick, A. et al.
- 优先权： US61/248,130 20091002
- 主分类号： H01L29/66
- IPC分类号： H01L29/66
摘要：
Operational characteristics of an extremely low resistance ("ELR") film comprised of an ELR material may be improved by depositing a modifying material onto appropriate surfaces of the ELR film to create a modified ELR film In some implementations of the invention, the ELR film may be in the form of a "c-film " Such operational characteristics may include operating in an ELR state at increased temperatures, carrying additional electrical charge, operating with improved magnetic properties, operating with improved mechanic properties or other improved operational characteristics In some implementations of the invention, the ELR material is a mixed-valence copper-oxide perovskite, such as, but not limited to YBCO In some implementations of the invention, the modifying material is a conductive material that bonds easily to oxygen, such as, but not limited to, chromium
摘要（中）：
通过在ELR膜的适当表面上沉积改性材料以产生改性的ELR膜，可以改善由ELR材料构成的极低电阻（“ELR”）膜的操作特性。在本发明的一些实施方案中，ELR膜可以 以“c-film”的形式。这样的操作特征可以包括在升高的温度下操作在ELR状态，承载额外的电荷，具有改进的磁性能的操作，以及改进的机械性能或其他改进的操作特性的操作。 本发明中，ELR材料是混合价态的氧化铜钙钛矿，例如但不限于YBCO。在本发明的一些实施方案中，改性材料是易于氧接触的导电材料，例如但不限于 到，铬