基本信息:
- 专利标题： SOLUTION BASED PRECURSORS
- 专利标题（中）：基于解决方案的前提
- 申请号：PCT/US2010/040765 申请日：2010-07-01
- 公开(公告)号：WO2011005653A1 公开(公告)日：2011-01-13
- 发明人： MA, Ce , KIM, Kee-Chan , MCFARLANE, Graham, Anthony
- 申请人： LLINDE AKTIENGESELLSCHAFT , MA, Ce , KIM, Kee-Chan , MCFARLANE, Graham, Anthony
- 申请人地址： Klosterhofstr. 1 80331 Munich DE
- 专利权人： LLINDE AKTIENGESELLSCHAFT,MA, Ce,KIM, Kee-Chan,MCFARLANE, Graham, Anthony
- 当前专利权人： LLINDE AKTIENGESELLSCHAFT,MA, Ce,KIM, Kee-Chan,MCFARLANE, Graham, Anthony
- 当前专利权人地址： Klosterhofstr. 1 80331 Munich DE
- 代理机构： HEY, David, A.
- 优先权： US61/223,105 20090706
- 主分类号： C07F9/00
- IPC分类号： C07F9/00
摘要：
Solution-based precursors for use as starting materials in film deposition processes, such as atomic layer deposition, chemical vapor deposition and metalorganic chemical vapor deposition. The solution-based precursors allow for the use of otherwise solid precursors that would be unsuitable for vapor phase deposition processes because of their tendency to decompose and solidify during vaporization.
摘要（中）：
用于原子层沉积，化学气相沉积和金属有机化学气相沉积的成膜方法中的起始材料的基于溶液的前体。 基于溶液的前体允许使用不适合于气相沉积过程的其它固体前体，因为它们在蒸发期间趋于分解和固化。
IPC结构图谱:
| C | 化学；冶金 |
| --C07 | 有机化学 |
| ----C07F | 含除碳、氢、卤素、氧、氮、硫、硒或碲以外的其他元素的无环，碳环或杂环化合物 |
| ------C07F9/00 | 含周期表第Ⅴ族元素的化合物 |