基本信息:
- 专利标题： TECHNIQUES FOR PROCESSING A SUBSTRATE
- 专利标题（中）：加工基材的技术
- 申请号：PCT/US2010030395 申请日：2010-04-08
- 公开(公告)号：WO2010118234A3 公开(公告)日：2011-01-20
- 发明人： DANIELS KEVIN M , LOW RUSSELL J , RIORDON BENJAMIN B , BATEMAN NICHOLAS P T
- 申请人： VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT , DANIELS KEVIN M , LOW RUSSELL J , RIORDON BENJAMIN B , BATEMAN NICHOLAS P T
- 专利权人： VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT,DANIELS KEVIN M,LOW RUSSELL J,RIORDON BENJAMIN B,BATEMAN NICHOLAS P T
- 当前专利权人： VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT,DANIELS KEVIN M,LOW RUSSELL J,RIORDON BENJAMIN B,BATEMAN NICHOLAS P T
- 优先权： US16755009 2009-04-08; US75603610 2010-04-07
- 主分类号： H01L21/265
- IPC分类号： H01L21/265
摘要：
Herein, an improved technique for processing a substrate is disclosed. In one particular exemplary embodiment, the technique may be achieved using a mask for processing the substrate. The mask may be incorporated into a substrate processing system such as, for example, an ion implantation system. The mask may comprise one or more first apertures disposed in a first row; and one or more second apertures disposed in a second row, each row extending along a width direction of the mask, wherein the one or more first apertures and the one or more second apertures are non-uniform.
摘要（中）：
本文中公开了一种用于处理衬底的改进技术。 在一个特定的示例性实施例中，可以使用用于处理衬底的掩模来实现该技术。 掩模可以并入基板处理系统中，例如离子注入系统。 掩模可以包括设置在第一排中的一个或多个第一孔; 以及设置在第二排中的一个或多个第二孔，每排沿着所述掩模的宽度方向延伸，其中所述一个或多个第一孔和所述一个或多个第二孔是不均匀的。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/263 | .....带有高能辐射的 |
| ------------------H01L21/265 | ......产生离子注入的 |